頂點光電子商城2024年8月9日消息：近日，三星8層堆疊HBM3E已通過英偉達所有測試，并預計今年底開始交付。
HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬內存）是一種動態隨機存取內存（DRAM）標準，最早于2013年生產，通過垂直堆疊芯片來節省空間并降低功耗。作為AI圖形處理器（GPU）的關鍵組件，HBM有助于處理復雜應用程序產生的海量數據。隨著生成式AI熱潮的興起，對高端GPU及其配套內存的需求急劇增加，因此三星和英偉達等公司在這一領域的合作備受關注。
三星8層堆疊HBM3E芯片預計將在今年底（即2024年年底）開始交付。這一時間點與之前的報道相符，即三星和英偉達雖未簽署已獲批的供應協議，但預計很快就會達成協議，并在2024年第四季度開始供應。
在HBM市場，三星面臨著來自SK海力士和美光等競爭對手的激烈競爭。SK海力士一直是英偉達的主要HBM芯片供應商，并預計整個HBM內存芯片的需求到2027年可能以每年82%的速度增長。三星的8層HBM3E芯片的成功測試和即將交付，有望使其在這一市場中占據更有利的地位。
隨著生成式AI技術的不斷發展，對高性能GPU及其配套內存的需求將持續增長。HBM3E芯片作為AI圖形處理器的關鍵組件，其市場前景被廣泛看好。研究機構TrendForce表示，HBM3E芯片今年可能成為主流HBM產品，出貨集中在下半年。因此，三星8層堆疊HBM3E芯片的交付將有望推動整個科技行業的發展。
三星表示將加強與合作伙伴的聯動，共同打造生態系統，推動行業標準的制定和發展。這一舉措有助于三星在HBM市場中建立更廣泛的合作網絡，并進一步提升其市場地位。
隨著HBM3E的問世和交付，高性能存儲領域將迎來一場技術革命。這不僅將推動整個科技行業的進步，還將為企業和用戶帶來前所未有的發展機遇。
三星8層堆疊HBM3E芯片已通過英偉達所有測試，并預計在今年底開始交付。這一消息對于三星在HBM市場中的地位提升以及整個科技行業的發展都具有重要意義。
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