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        頂點光電子商城2025年6月12日消息：三星電子率先在DRAM領域導入干式光刻膠（Dry Photoresist，Dry PR）技術，是半導體制造工藝的一次重大突破。這一舉措不僅體現了三星在先進制程技術上的領先地位，也為DRAM的性能提升和成本優化提供了新的可能。

          傳統濕式光刻膠在涂覆和顯影過程中需要使用液體溶劑，這可能導致液體表面張力對圖案完整性產生影響，尤其是在超精細工藝中，這種影響更為顯著。干式光刻膠直接沉積到晶圓表面，無需使用液體溶劑，從而避免了液體表面張力導致的圖案變形問題，提高了制造精度。干式光刻膠具有更高的曝光效率，能夠實現更為精細的線寬，這對于提升DRAM的性能和集成度至關重要。在10納米及以下先進制程中，干式光刻膠的優勢尤為明顯，能夠滿足高分辨率、高精度的制造需求。干式光刻膠減少了化學溶劑的使用，降低了對環境的污染，符合當前半導體行業對綠色制造的要求。同時，由于減少了溶劑的使用和后續清洗步驟，干式光刻膠還有助于降低生產成本和提高生產效率。

          三星電子計劃將干式光刻膠技術應用于其即將推出的第六代10納米級DRAM工藝中，這將進一步提升DRAM的性能和集成度。通過采用干式光刻膠技術，三星有望在DRAM市場上保持領先地位，并滿足不斷增長的市場需求。三星還計劃將基于1c nm工藝制造的DRAM應用于其HBM4產品中。HBM4作為下一代高帶寬內存解決方案，對性能和可靠性有著極高的要求。干式光刻膠技術的引入將有助于提升HBM4的信號完整性和可靠性，從而滿足AI、高性能計算等領域對內存性能的苛刻需求。

          盡管干式光刻膠技術具有諸多優勢，但其在實際應用中仍面臨一些技術挑戰，如光刻膠的均勻沉積、曝光過程中的熱管理等問題。三星需要不斷優化工藝參數和設備配置，以確保干式光刻膠技術的穩定性和可靠性。

         隨著半導體技術的不斷發展，干式光刻膠技術有望在更多領域得到應用。三星作為半導體行業的領軍企業，將繼續加大在先進制程技術上的研發投入，推動干式光刻膠技術的進一步發展和完善。同時，三星還將積極探索與其他先進技術的結合，如極紫外光刻（EUV）技術等，以不斷提升DRAM的性能和集成度，滿足未來市場的需求。