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           頂點(diǎn)光電子商城2025年6月12日消息：近日，美光交付HBM4樣品對(duì)AI平臺(tái)性能提升具有顯著助力，其技術(shù)參數(shù)和特性為AI計(jì)算帶來(lái)了關(guān)鍵突破。

          HBM4采用2048位超寬接口設(shè)計(jì)，單堆棧帶寬突破2.0TB/s，相較上一代HBM3E產(chǎn)品性能提升超60%。這一提升顯著優(yōu)化了數(shù)據(jù)吞吐效率，可大幅加速大型語(yǔ)言模型（LLM）及思維鏈推理系統(tǒng)的響應(yīng)速度，使AI加速器具備更迅捷的實(shí)時(shí)決策能力。在能效方面，HBM4實(shí)現(xiàn)跨越式進(jìn)步，功耗效率提升超20%。這意味著數(shù)據(jù)中心能以更低能耗支持更高強(qiáng)度AI負(fù)載，為可持續(xù)計(jì)算提供關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施支撐。

           HBM4整合了美光成熟的1β（1-beta）DRAM工藝、12層先進(jìn)封裝技術(shù)及高性能內(nèi)存內(nèi)置自檢（MBIST）功能。這種先進(jìn)的封裝技術(shù)有助于提升內(nèi)存的集成度和可靠性。HBM4的高帶寬與低延遲特性，以及先進(jìn)的封裝技術(shù)，使得邏輯xPU與內(nèi)存之間的數(shù)據(jù)傳輸能力顯著增強(qiáng)，從而提升了AI平臺(tái)的整體性能。

          美光已向多個(gè)核心客戶交付基于36GB 12層堆疊架構(gòu)的HBM4內(nèi)存樣品，旨在為下一代AI平臺(tái)開(kāi)發(fā)者提供無(wú)縫集成的解決方案，滿足生成式AI爆發(fā)性增長(zhǎng)對(duì)高效推理能力的迫切需求。美光已規(guī)劃2026年實(shí)現(xiàn)HBM4量產(chǎn)擴(kuò)容，精準(zhǔn)對(duì)接客戶下一代AI平臺(tái)商用進(jìn)程。這將有助于進(jìn)一步推動(dòng)AI平臺(tái)性能的提升和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大。