頂點(diǎn)光電子商城2025年4月25日消息：近日，臺積電宣布其1.4納米級A14工藝將于2028年量產(chǎn)，這一舉措標(biāo)志著芯片制造技術(shù)向更小制程節(jié)點(diǎn)邁進(jìn)的重要里程碑，同時(shí)體現(xiàn)了臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的持續(xù)領(lǐng)導(dǎo)力與戰(zhàn)略布局。
A14工藝作為臺積電的下一代全節(jié)點(diǎn)技術(shù)，基于第二代全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管架構(gòu)，相比當(dāng)前最先進(jìn)的2納米（N2）工藝，其性能、能效和晶體管密度將實(shí)現(xiàn)顯著提升。具體而言，A14工藝在相同功耗下可實(shí)現(xiàn)15%的速度提升，或在相同速度下降低30%的功耗，邏輯密度增加超過20%。這一技術(shù)進(jìn)步將直接推動人工智能（AI）、高性能計(jì)算（HPC）、智能手機(jī)等領(lǐng)域的算力升級和能效優(yōu)化，滿足未來數(shù)據(jù)中心、邊緣計(jì)算和移動設(shè)備對更高性能和更低功耗的需求。
臺積電計(jì)劃在2028年實(shí)現(xiàn)A14工藝的量產(chǎn)，這一時(shí)間節(jié)點(diǎn)與全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的長期規(guī)劃高度契合。考慮到2納米工藝將于2024年第四季度量產(chǎn)，3納米工藝已進(jìn)入滿負(fù)荷生產(chǎn)階段，A14工藝的推出將進(jìn)一步鞏固臺積電在先進(jìn)制程領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。值得注意的是，A14工藝的量產(chǎn)初期可能不具備背面供電（Backside Power Delivery）功能，但臺積電已計(jì)劃在2029年推出配備SPR（Super Power Rail）背面供電的A14版本，以滿足高性能客戶端和數(shù)據(jù)中心應(yīng)用對供電效率的更高要求。
A14工藝的量產(chǎn)將依賴臺積電在極紫外光刻（EUV）技術(shù)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新。盡管初期量產(chǎn)可能仍采用ASML第三代標(biāo)準(zhǔn)型EUV設(shè)備NXE:3800E，但臺積電已明確表示將在2028年后的改良升級版A14P中引入High-NA EUV光刻機(jī)（如EXE:5000和EXE:5200），以實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的制程控制和更高的良率。此外，臺積電還將通過NanoFlex Pro架構(gòu)提供更靈活的晶體管配置選項(xiàng)，允許芯片設(shè)計(jì)人員根據(jù)特定應(yīng)用或工作負(fù)載優(yōu)化功率、性能和面積（PPA），進(jìn)一步提升設(shè)計(jì)效率。
A14工藝的量產(chǎn)將顯著提升臺積電在半導(dǎo)體代工市場的競爭力，進(jìn)一步拉大與英特爾、三星等競爭對手的技術(shù)差距。對于蘋果、AMD、英偉達(dá)等臺積電的主要客戶而言，A14工藝的推出將為其提供更強(qiáng)大的算力支持，推動AI芯片、GPU、CPU等產(chǎn)品的性能升級。同時(shí)，A14工藝的量產(chǎn)也將加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的協(xié)同創(chuàng)新，推動材料、設(shè)備、EDA工具等相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)進(jìn)步。
臺積電在A14工藝上的布局反映了其長期戰(zhàn)略：通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新和制程節(jié)點(diǎn)迭代，滿足未來十年甚至更長時(shí)間內(nèi)對高性能、低功耗芯片的需求。隨著AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等技術(shù)的快速發(fā)展，全球?qū)ο冗M(jìn)制程芯片的需求將持續(xù)增長。A14工藝的量產(chǎn)不僅將鞏固臺積電在半導(dǎo)體代工領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)地位，還將為全球科技產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新提供關(guān)鍵支撐。
鄂公網(wǎng)安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
