頂點光電子商城2025年4月24日消息：近日，英飛凌官微宣布推出CoolGaN? G5中壓晶體管。據悉，這是全球首款集成肖特基二極管的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。
核心優勢有：通過減少死區損耗，CoolGaN? G5晶體管有效降低了功率損耗，提高了整體系統效率，尤其在硬開關應用中表現突出。集成肖特基二極管的設計消除了對外部二極管的需求，簡化了電路設計，減少了元件數量和PCB面積。新型晶體管降低了反向傳導損耗，能夠與更多高邊柵極驅動器兼容，且控制器兼容性更廣，進一步簡化了系統設計。適用于服務器和電信中間總線轉換器（IBC）、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU）和電機驅動等工業應用場景。
首款集成肖特基二極管的GaN晶體管采用3 x 5 mm PQFN封裝，規格為100 V / 1.5 mΩ。在硬開關應用中，GaN器件的有效體二極管電壓（VSD）較大，可能導致功率損耗增加。CoolGaN? G5通過集成肖特基二極管，顯著緩解了這一問題，尤其適用于控制器死區時間較長的情況。由于GaN晶體管缺乏體二極管，其反向傳導電壓（VRC）取決于閾值電壓（VTH）和關斷態下的柵極偏置偏壓（VGS）。CoolGaN? G5通過集成設計，降低了反向傳導損耗，提升了系統性能。
英飛凌此次推出的CoolGaN? G5晶體管體現了公司在寬禁帶半導體材料領域的持續創新，進一步推動了GaN技術在工業功率設計中的應用。隨著GaN技術在功率設計中的廣泛應用，客戶對更高效率和更簡化設計的需求不斷增加。CoolGaN? G5晶體管的推出正是為了滿足這些需求，體現了英飛凌以客戶為中心的創新理念。
英飛凌中壓GaN產品線副總裁Antoine Jalabert表示：“隨著GaN技術在功率設計中的應用日益廣泛，英飛凌將繼續致力于改進和提升這項技術，以滿足客戶不斷變化的需求。CoolGaN? G5晶體管的推出是英飛凌推動寬禁帶半導體材料發展的重要一步。”
此次發布的CoolGaN? G5中壓晶體管標志著英飛凌在氮化鎵功率器件領域的又一重大突破，將為工業應用帶來更高的效率和更簡單的系統設計，助力推動綠色低碳和數字化轉型。
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