頂點光電子商城2024年9月23日消息：近日，三星首批面向AI時代的QLC第九代V-NAND啟動量產(chǎn)，這一事件標(biāo)志著三星在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要突破。
三星首款1太比特(Tb)四層單元(QLC)第九代V-NAND已正式開始量產(chǎn)，標(biāo)志著其在高容量存儲技術(shù)上的領(lǐng)先地位。三星引以為傲的通道孔蝕刻技術(shù)能基于雙堆棧架構(gòu)實現(xiàn)最高單元層數(shù)，提升了存儲密度和性能。通過調(diào)整控制存儲單元的字線(WL)間距，確保存儲單元特性的一致性和最佳效果，提升了數(shù)據(jù)保存性能和產(chǎn)品可靠性。能夠預(yù)測并控制存儲單元的狀態(tài)變化，減少不必要的操作，從而翻倍寫入性能并提升數(shù)據(jù)輸入/輸出速度60%。降低了驅(qū)動NAND存儲單元所需的電壓，減少功耗，數(shù)據(jù)讀取功耗分別下降了約30%和50%。
三星通過QLC和TLC第九代V-NAND的量產(chǎn)，進(jìn)一步鞏固了其在高容量、高性能NAND閃存市場中的領(lǐng)先地位。三星計劃將QLC第九代V-NAND的應(yīng)用范圍從品牌消費類產(chǎn)品擴(kuò)展到移動通用閃存(UFS)、個人電腦和服務(wù)器SSD等多個領(lǐng)域，為包括云服務(wù)提供商在內(nèi)的客戶提供服務(wù)。
隨著人工智能和云計算等技術(shù)的不斷發(fā)展，對存儲解決方案的需求將持續(xù)增長。三星QLC第九代V-NAND的量產(chǎn)不僅滿足了當(dāng)前市場的需求，更為未來技術(shù)的發(fā)展奠定了堅實的基礎(chǔ)。未來，三星有望繼續(xù)在高容量、高性能存儲領(lǐng)域保持領(lǐng)先地位，并推動相關(guān)技術(shù)的不斷創(chuàng)新和發(fā)展。
綜上所述，三星首批面向AI時代的QLC第九代V-NAND的量產(chǎn)是其在NAND閃存技術(shù)領(lǐng)域的又一次重要里程碑，標(biāo)志著三星在高容量、高性能存儲解決方案方面的持續(xù)創(chuàng)新和領(lǐng)先地位。
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