頂點光電子商城2024年8月29日消息：近日，SK海力士宣布，全球首次成功開發出采用第六代10納米級（1c）工藝的16Gb（Gigabit，千兆比特）DDR5 DRAM。
采用第六代10納米級（1c）工藝，展現了SK海力士在超微細化存儲工藝技術方面的領先地位。通過優化EUV（極紫外光刻）適用工藝并開發新材料，確保了成本競爭力和生產率的提升（與前一代1b工藝相比，生產率提高了30%以上）。運行速度達到8Gbps（每秒8千兆比特），與前一代產品相比速度提高了11%。能效也提高了9%以上，有助于降低數據中心等應用場景的能耗。
在應用前景方面，主要面向高性能數據中心市場，隨著AI時代的到來和數據量的激增，該產品將滿足市場對更高速度、更高能效存儲解決方案的需求。
SK海力士計劃年內完成該產品的量產準備，并從明年開始供應市場，這將進一步鞏固其在半導體存儲器市場的領先地位。
此次成功開發不僅展示了SK海力士在DRAM制造工藝上的持續創新能力，也為整個行業樹立了新的技術標桿。通過提高生產率和能效，SK海力士有望為客戶提供更具競爭力的存儲解決方案，促進數據中心等市場的可持續發展。
SK海力士成功開發出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM，是半導體存儲技術領域的一次重要里程碑。該產品在制造工藝、性能提升和應用前景等方面均展現出顯著優勢，將有力推動數據中心等市場的發展，并為SK海力士在半導體存儲器市場的持續領先奠定堅實基礎。
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