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         頂點光電子商城2024年6月21日消息：近日，英諾賽科針對48V數據中心、48V汽車電子、馬達驅動等應用領域，再次推出了一款高集成度的100V氮化鎵半橋合封氮化鎵芯片——ISG3202LA。

         產品特性包括耐壓：100V；導阻：2顆 100V/3.2mΩ；封裝：LGA 5X6.5。

            產品優勢有：

           高度集成：集成2顆100V氮化鎵，1顆半橋驅動器，以及若干電容電阻，極大地簡化系統BOM，減少占板面積高達73%。性能優化：優化功率回路設計，可支持高達5MHz開關頻率，并提供高效率和低EMI。延遲匹配：較短的傳輸延遲和近乎完美的延遲匹配便于優化死區時間。智能自舉：內置智能自舉開關保證高邊/低邊驅動電壓一致。多重保護：多種過壓/欠壓/過溫保護增加系統可靠性。成本簡化：與市面上同規格產品相比，內置了VCC/BST電容，能夠極大簡化系統成本。

            應用領域：80V半橋、全橋、SR應用；數據中心48V-12V功率轉換；汽車電子48V Buck DC/DC；24V/48V馬達驅動；Class-D音頻功放。

           至此，英諾賽科合封氮化鎵已集齊高壓和低壓八款產品，分別為ISG3201, ISG3202LA, ISG6102, ISG6103, ISG6106QA, ISG6107QA, ISG6108QA及ISG6109QA，這些產品為多種電源適配器、LED驅動、馬達驅動、太陽能微型逆變器、數據中心及汽車電子領域提供更簡化的系統與更高效的性能支持。

             綜上所述，英諾賽科的100V半橋合封氮化鎵芯片ISG3202LA憑借其高度集成、優化性能、多重保護及成本簡化等優勢，為系統帶來了顯著的“瘦身”效果，進一步推動了氮化鎵技術在各個應用領域的發展。