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         頂點光電子商城2024年6月18日消息：近日，ASML關于新計劃的宣布主要涉及其在半導體制造領域的光刻技術進展，特別是在Hyper-NA EUV（極紫外光刻）技術方面。

         ASML已經在EUV（極紫外）光刻技術方面取得了顯著進展，并成功向業界提供了High-NA EUV光刻機。現在，ASML正瞄準下一代Hyper-NA EUV技術，并計劃在2030年左右提供這種新的光刻設備。

          Hyper-NA EUV技術相比現有的High-NA EUV技術，將提供更高的數值孔徑（NA），達到0.75，而High-NA EUV的NA為0.55，標準EUV光刻機的NA則是0.33。這一技術上的進步意味著可以實現更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征，進一步推動半導體制造工藝的發展。

            盡管Hyper-NA EUV技術具有巨大的潛力，但也面臨著一些挑戰，如光偏振和光刻膠的問題。ASML正在尋求解決方案，如在光刻設備中加入偏振片以應對光偏振的挑戰，但這可能會帶來能效降低和生產成本增加的問題。

            ASML計劃將所有系統的生產率提高到每小時400到500片晶圓，以滿足未來半導體制造工藝對高效率的需求。

          ASML的Hyper-NA EUV技術計劃不僅將推動半導體制造工藝的進一步發展，還將增強ASML在半導體制造設備領域的領先地位。這一技術還將為DRAM等存儲器件帶來新的機遇，推動存儲容量的進一步提升。

          總之，ASML計劃在2030年推出Hyper-NA EUV技術，這將為半導體制造工藝帶來革命性的進步。然而，這一技術也面臨著一些挑戰，并且其經濟可行性仍需進一步觀察。