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         頂點(diǎn)光電子商城2024年6月18日消息：近日，ASML關(guān)于新計(jì)劃的宣布主要涉及其在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的光刻技術(shù)進(jìn)展，特別是在Hyper-NA EUV（極紫外光刻）技術(shù)方面。

         ASML已經(jīng)在EUV（極紫外）光刻技術(shù)方面取得了顯著進(jìn)展，并成功向業(yè)界提供了High-NA EUV光刻機(jī)。現(xiàn)在，ASML正瞄準(zhǔn)下一代Hyper-NA EUV技術(shù)，并計(jì)劃在2030年左右提供這種新的光刻設(shè)備。

          Hyper-NA EUV技術(shù)相比現(xiàn)有的High-NA EUV技術(shù)，將提供更高的數(shù)值孔徑（NA），達(dá)到0.75，而High-NA EUV的NA為0.55，標(biāo)準(zhǔn)EUV光刻機(jī)的NA則是0.33。這一技術(shù)上的進(jìn)步意味著可以實(shí)現(xiàn)更高分辨率的圖案化及更小的晶體管特征，進(jìn)一步推動(dòng)半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展。

            盡管Hyper-NA EUV技術(shù)具有巨大的潛力，但也面臨著一些挑戰(zhàn)，如光偏振和光刻膠的問題。ASML正在尋求解決方案，如在光刻設(shè)備中加入偏振片以應(yīng)對(duì)光偏振的挑戰(zhàn)，但這可能會(huì)帶來能效降低和生產(chǎn)成本增加的問題。

            ASML計(jì)劃將所有系統(tǒng)的生產(chǎn)率提高到每小時(shí)400到500片晶圓，以滿足未來半導(dǎo)體制造工藝對(duì)高效率的需求。

          ASML的Hyper-NA EUV技術(shù)計(jì)劃不僅將推動(dòng)半導(dǎo)體制造工藝的進(jìn)一步發(fā)展，還將增強(qiáng)ASML在半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。這一技術(shù)還將為DRAM等存儲(chǔ)器件帶來新的機(jī)遇，推動(dòng)存儲(chǔ)容量的進(jìn)一步提升。

          總之，ASML計(jì)劃在2030年推出Hyper-NA EUV技術(shù)，這將為半導(dǎo)體制造工藝帶來革命性的進(jìn)步。然而，這一技術(shù)也面臨著一些挑戰(zhàn)，并且其經(jīng)濟(jì)可行性仍需進(jìn)一步觀察。