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           頂點光電子商城2024年5月20日消息：近日，臺積電準備生產HBM4基礎芯片，并將采用N12FFC+和N5制程技術。這一決策是為了滿足當前人工智能（AI）市場對高性能存儲的需求。

          HBM4，即第四代高帶寬內存，相較于之前的HBM產品，有幾項主要的變化。其中，最重要的就是內存堆棧鏈接接口標準，將從原本的1024比特進一步轉向超寬的2048比特。這種變化使得HBM4內存堆棧鏈接需要更先進的封裝方法來容納超寬的內存。

          在制程技術方面，臺積電計劃使用N12FFC+和N5兩種制程技術來生產HBM4基礎芯片。N12FFC+是一種成本效益較高的選擇，它可以使存儲供應商構建12層堆棧（48GB）和16層堆棧（64GB），每堆棧帶寬超過2TB/s。此外，N12FFC+技術生產的HBM4基礎芯片還有助于使用臺積電的CoWoS-L或CoWoS-R先進封裝技術構建系統級封裝（SiP），該技術可提供高達8倍標線尺寸的中介層，空間足夠容納多達12個HBM4內存堆棧。

            另一方面，N5制程技術則提供了更高的性能。N5制程建構的基礎芯片將封裝更多的邏輯，消耗更少的功耗，并提供更高的性能。這種先進的制程技術可以達到非常小的互連間距，約6~9微米，這將使得HBM4能夠在邏輯芯片頂部進行3D堆棧，從而提高內存性能。

            總的來說，臺積電采用N12FFC+和N5制程技術生產HBM4基礎芯片，是為了在保持成本效益的同時，提高存儲性能，滿足AI和高性能計算（HPC）芯片對更大內存帶寬的需求。