頂點光電子商城2024年5月17日消息：北京貝茵凱微電子有限公司（簡稱“貝茵凱”）在高端領域進行了深入的探索和研究，特別是在IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片領域取得了顯著的突破。IGBT是一種由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件，它在電力電子行業扮演著至關重要的角色，被譽為是電力電子行業的“CPU”。
貝茵凱專注于高精尖制程功率芯片的研發與應用，成功研發并批量生產出獨具特色的全系列第七代IGBT芯片，從而突破了國產化領域的技術壁壘。這款第七代IGBT產品在性能方面顯著優于同類中采用傳統制程的IGBT芯片，有效解決了導通損耗與開關損耗難以平衡的問題，具備低導通損耗與低開關損耗的雙重優勢。此外，它的適用頻率范圍也得以拓寬，最高適用頻率從15kHz-20kHz提升至30kHz-40kHz，達到了國際領先水平。
此外，貝茵凱的第七代IGBT產品采用了12英寸晶圓，相比傳統的8英寸晶圓，其面積大約是后者的2.25倍，這意味著在良率相同的情況下，一片12英寸晶圓的最終產能是一片8英寸晶圓的約2.25倍，從而在生產相同制程芯片的情況下，12英寸晶圓的利潤率更高。同時，這款IGBT產品還采用了“微溝槽柵+場截止溝道”結構，其功率密度更高，元胞間距也經過精心設計，并優化了寄生電容參數，實現了5kv/us下的最佳開關性能，以及175℃過載結溫，dv/dt可控。
貝茵凱的這一突破對于我國IGBT產業的發展具有重要意義。長期以來，由于國外企業在核心技術上的領先地位，全球IGBT市場呈現出由國外頭部企業主導的壟斷格局。然而，隨著我國新能源汽車、風電、光伏等產業的快速發展，對于高性能、高可靠性的IGBT芯片的需求日益增長。貝茵凱的成功研發和生產，不僅打破了國外企業的技術壟斷，也提升了我國在全球IGBT市場中的地位。
未來，貝茵凱將繼續深耕高端應用領域，致力于開發更高壓的碳化硅芯片（SiC MOSFET），同時加強與IGBT產品終端用戶企業的合作，全力推進國產芯片的替代進程。這一努力將有助于我國在全球半導體產業中取得更大的話語權，并為我國的新能源汽車、風電、光伏等產業提供更加穩定、可靠的供應鏈保障。
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