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           頂點(diǎn)光電子商城2024年5月17日消息：北京貝茵凱微電子有限公司（簡(jiǎn)稱“貝茵凱”）在高端領(lǐng)域進(jìn)行了深入的探索和研究，特別是在IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片領(lǐng)域取得了顯著的突破。IGBT是一種由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，它在電力電子行業(yè)扮演著至關(guān)重要的角色，被譽(yù)為是電力電子行業(yè)的“CPU”。

          貝茵凱專注于高精尖制程功率芯片的研發(fā)與應(yīng)用，成功研發(fā)并批量生產(chǎn)出獨(dú)具特色的全系列第七代IGBT芯片，從而突破了國(guó)產(chǎn)化領(lǐng)域的技術(shù)壁壘。這款第七代IGBT產(chǎn)品在性能方面顯著優(yōu)于同類中采用傳統(tǒng)制程的IGBT芯片，有效解決了導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗難以平衡的問(wèn)題，具備低導(dǎo)通損耗與低開(kāi)關(guān)損耗的雙重優(yōu)勢(shì)。此外，它的適用頻率范圍也得以拓寬，最高適用頻率從15kHz-20kHz提升至30kHz-40kHz，達(dá)到了國(guó)際領(lǐng)先水平。

           此外，貝茵凱的第七代IGBT產(chǎn)品采用了12英寸晶圓，相比傳統(tǒng)的8英寸晶圓，其面積大約是后者的2.25倍，這意味著在良率相同的情況下，一片12英寸晶圓的最終產(chǎn)能是一片8英寸晶圓的約2.25倍，從而在生產(chǎn)相同制程芯片的情況下，12英寸晶圓的利潤(rùn)率更高。同時(shí)，這款I(lǐng)GBT產(chǎn)品還采用了“微溝槽柵+場(chǎng)截止溝道”結(jié)構(gòu)，其功率密度更高，元胞間距也經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，并優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，實(shí)現(xiàn)了5kv/us下的最佳開(kāi)關(guān)性能，以及175℃過(guò)載結(jié)溫，dv/dt可控。

            貝茵凱的這一突破對(duì)于我國(guó)IGBT產(chǎn)業(yè)的發(fā)展具有重要意義。長(zhǎng)期以來(lái)，由于國(guó)外企業(yè)在核心技術(shù)上的領(lǐng)先地位，全球IGBT市場(chǎng)呈現(xiàn)出由國(guó)外頭部企業(yè)主導(dǎo)的壟斷格局。然而，隨著我國(guó)新能源汽車、風(fēng)電、光伏等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)于高性能、高可靠性的IGBT芯片的需求日益增長(zhǎng)。貝茵凱的成功研發(fā)和生產(chǎn)，不僅打破了國(guó)外企業(yè)的技術(shù)壟斷，也提升了我國(guó)在全球IGBT市場(chǎng)中的地位。

            未來(lái)，貝茵凱將繼續(xù)深耕高端應(yīng)用領(lǐng)域，致力于開(kāi)發(fā)更高壓的碳化硅芯片（SiC MOSFET），同時(shí)加強(qiáng)與IGBT產(chǎn)品終端用戶企業(yè)的合作，全力推進(jìn)國(guó)產(chǎn)芯片的替代進(jìn)程。這一努力將有助于我國(guó)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中取得更大的話語(yǔ)權(quán)，并為我國(guó)的新能源汽車、風(fēng)電、光伏等產(chǎn)業(yè)提供更加穩(wěn)定、可靠的供應(yīng)鏈保障。