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          頂點光電子商城2024年4月30日消息：近日，南京大學網站發布《成果推介：大尺寸碳化硅激光切片設備與技術》。該研究成果顯示，南京大學成功研發出大尺寸碳化硅激光切片設備與技術，標志著我國在第三代半導體材料加工設備領域取得重要進展。

          大尺寸碳化硅激光切片設備采用激光產生、聚焦、碳化硅吸收激光和瞬時蒸發或氣化的原理，實現碳化硅晶片的精準切割。相較于傳統的多線切割技術，激光切片技術具有加工周期短、產率高的優勢。以單個20毫米SiC晶錠為例，采用線鋸可生產30片350um的晶圓，而使用激光切片技術可生產50多片晶圓，顯著提高了產率。

          南京大學研發的大尺寸碳化硅激光切片設備已經實現了4-6英寸半絕緣碳化硅晶圓的切割減薄、6英寸導電型碳化硅晶錠的切片，并且正在進行8英寸晶錠切片驗證。在切割時間方面，半絕緣/導電型6英寸碳化硅晶錠單片切割時間≤15min，單臺年產晶片>30000片。此外，該設備在切割過程中的損耗也較低，半絕緣碳化硅晶錠單片損耗≤30um，導電型單片損耗≤60um，產片率提升>50%。

          大尺寸碳化硅激光切片設備是未來8英寸碳化硅晶錠切片的核心設備。目前，大尺寸碳化硅晶錠激光切片設備主要依賴進口，價格昂貴且對中國禁運。南京大學研發的這項技術將打破國外技術壟斷，滿足國內市場對于大尺寸碳化硅激光切片設備的需求，有助于推動我國第三代半導體材料產業的發展。

          總之，南京大學成功研發出大尺寸碳化硅激光切片設備與技術是我國在半導體材料加工領域取得的重要突破，將為我國半導體產業的發展注入新的動力。