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聯(lián)電和英特爾將共同開發(fā)相對成熟的12nm芯片技術(shù)

          頂點光電子商城2024年4月2日消息:近日,聯(lián)電和英特爾將共同開發(fā)相對成熟的12nm芯片技術(shù),并在美國亞利桑那州的三個英特爾工廠進行合同生產(chǎn)。通信和其他應(yīng)用將于2027年開始批量生產(chǎn)。


           聯(lián)電(聯(lián)華電子)與英特爾的合作是一個引人注目的行業(yè)動態(tài)。通過此次合作,聯(lián)電得以進軍美國市場,共同開發(fā)相對成熟的12nm芯片技術(shù),并在美國亞利桑那州的三個英特爾工廠進行合同生產(chǎn)。這一合作結(jié)合了英特爾在美國的大規(guī)模制造產(chǎn)能以及聯(lián)電在成熟制程上的晶圓代工經(jīng)驗,旨在擴充制程組合并提升全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的技術(shù)和制造創(chuàng)新能力。


聯(lián)電和英特爾將共同開發(fā)相對成熟的12nm芯片技術(shù)(圖1)


            具體來說,這種12nm制程將運用英特爾的FinFET電晶體經(jīng)驗,在亞利桑那州的工廠進行開發(fā)和制造,并預(yù)計在2027年投入生產(chǎn)。通信和其他應(yīng)用的批量生產(chǎn)也將從這一年開始。對于聯(lián)電而言,這次合作不僅使其能夠量產(chǎn)比主流22nm至28nm產(chǎn)品更先進的芯片,還在美國獲得了生產(chǎn)設(shè)施,有助于贏得北美客戶,進一步提升其在全球市場的地位。


            對于英特爾而言,通過與聯(lián)電在成熟芯片上的合作,可以將更多資源集中在1.4nm等尖端技術(shù)上,這是實現(xiàn)其在2030年成為全球第二大晶圓代工廠目標的重要一步。此外,英特爾還獲得了美國政府的補貼支持,用于先進芯片的開發(fā),進一步加大了其在全球半導(dǎo)體市場的攻勢。


           總的來說,聯(lián)電與英特爾的合作是一個雙贏的決策。它不僅推動了半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展和創(chuàng)新,還加強了全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的穩(wěn)定性。對于消費者和技術(shù)制造商來說,這也意味著未來將有更多高性能、高質(zhì)量的芯片產(chǎn)品可供選擇,推動各行業(yè)的進一步發(fā)展和創(chuàng)新

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