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          頂點光電子商城2024年3月4日消息：近日，三星正在考慮在其下一代 DRAM 中應用模壓填充（MUF）技術。

          據報道，三星最近對其3D堆棧（3DS）內存進行了大規模的MR MUF工藝測試。與現有的熱壓非導電膜（TC NCF）相比，MUF工藝在吞吐量方面有所提高，但物理特性卻出現了一定惡化。因此，經過測試和研究，三星得出結論，MUF技術不適用于高帶寬內存（HBM）產品，但非常適合3DS RDIMM。3DS RDIMM主要采用硅通孔（TSV）技術制造，并主要用于服務器產品。

          MUF是一種環氧樹脂模塑化合物，有助于緊密凝固和結合各種垂直堆疊的半導體。三星計劃與子公司三星SDI合作開發適用于DRAM的MUF化合物，并已經從日本訂購了相關設備，以推進到下一階段，實現更先進的封裝工藝，并提高生產效率。

          然而，目前三星仍將繼續在HBM生產中使用TC NCF技術。同時，競爭對手美光也打算繼續使用TC NCF技術。盡管MUF材料被認為在避免晶圓翹曲方面更具優勢，但尚不清楚三星是否會最終選擇引入MUF技術。