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          頂點光電子商城2024年2月22日消息：近日，SK海力士計劃于3月份開始大規模量產HBM3E。

          HBM3E是SK海力士旗下第五代高帶寬內存產品，這款基于3D堆棧工藝的高性能DRAM產品旨在打破內存帶寬及功耗瓶頸，以滿足市場對高性能內存不斷增長的需求。

          去年8月，SK海力士宣布成功開發出HBM3E，并開始向客戶提供樣品進行性能驗證。經過半導體產品開發的九個階段后，SK海力士于今年1月中旬正式結束了HBM3E的開發工作，并完成了英偉達歷時半年的性能評估。

          因此，SK海力士計劃在3月份開始大規模生產HBM3E，并計劃在下個月向英偉達供應首批產品。

           據報道，這批HBM3E將用于NVIDIA下一代Blackwell系列AI芯片旗艦產品B100上。NVIDIA計劃于2024年第二季度末或第三季度初推出這一系列產品。鑒于NVIDIA在AI GPU市場占據超過90%的市場份額，而SK海力士在全球HBM市場擁有超過一半的份額，并完全壟斷了128GB DDR5這類大容量DRAM產品市場，雙方的合作被市場普遍看好，預計將推動AI芯片市場的進一步發展。