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頂點(diǎn)光電子商城2023年10月26日消息：近日，西安紫光國芯攜新一代DDR5 RDIMM等產(chǎn)品亮相MTS2024。其中，新一代DDR5 RDIMM、512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品將首次與大家見面。
DDR5 RDIMM是一種帶寄存器的雙列直插內(nèi)存模塊，其位于CPU和內(nèi)存顆粒之間，既減少了并行傳輸?shù)木嚯x，又保證并行傳輸?shù)挠行浴?/span>
DDR5 RDIMM完全符合第四代AMD EPYC處理器的要求，其帶寬相當(dāng)于DDR4內(nèi)存的兩倍，并且通過新一代內(nèi)存技術(shù)，這款內(nèi)存增強(qiáng)了對(duì)于人工智能(AI)和內(nèi)存數(shù)據(jù)庫工作負(fù)載的支持，并解決了芯片堆疊的高成本問題，同時(shí)也避免了延遲的增加。
本次亮相的還有采用新一代工藝開發(fā)的1Gb DDR3顆粒產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，芯片尺寸減少，最高速率提升至2133Mbps，工作電壓降低，支持DDR3L，產(chǎn)品力得到大幅提升。該款產(chǎn)品還通過了包括JEDEC Timing、Qualification等多項(xiàng)嚴(yán)苛測(cè)試，擁有更完善的量產(chǎn)測(cè)試覆蓋率，進(jìn)一步提升了產(chǎn)品性能并增強(qiáng)了可靠性，可滿足工業(yè)控制、電力、醫(yī)療、汽車電子等高端應(yīng)用的嚴(yán)格要求。
DDR5模組作為新一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，具有創(chuàng)新的架構(gòu)和模組內(nèi)建電源管理功能，優(yōu)化了系統(tǒng)的整體運(yùn)行性能，在速率、容量、功耗、總線效率等方面與DDR4相比均有顯著提升。
西安紫光國芯作為專業(yè)的DRAM KGD解決方案提供商，產(chǎn)品應(yīng)用在通信、穿戴、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、安防等眾多關(guān)鍵領(lǐng)域。本次亮相的512Mb DDR2和1Gb DDR3 KGD產(chǎn)品在進(jìn)一步優(yōu)化芯片尺寸的同時(shí)提升了主要性能指標(biāo)，可廣泛應(yīng)用于IPC、STB和汽車電子等市場(chǎng)，并已成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
DDR5 RDIMM
西安紫光國芯成立于2004年，是一家專注于存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)與制造的公司，其產(chǎn)品涵蓋了多種類型的存儲(chǔ)器芯片，包括DRAM、SRAM、NAND Flash等。同時(shí)，西安紫光國芯還提供存儲(chǔ)器模組和相關(guān)產(chǎn)品，以滿足不同客戶的需求。公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、平板電腦、高清電視機(jī)頂盒以及工業(yè)控制等領(lǐng)域，同時(shí)也為國內(nèi)外多個(gè)客戶提供了快速準(zhǔn)確的存儲(chǔ)器測(cè)試和失效分析服務(wù)。
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