頂點光電子商城2022年11月11日消息：近日，2022國際集成電路展覽會暨研討會（IIC）在深圳盛大開啟。作為國內(nèi)領(lǐng)先的存儲芯片設(shè)計企業(yè)，東芯半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡稱“東芯半導(dǎo)體”）受邀參加本次展會，并攜產(chǎn)品重磅亮相。
會上，憑借卓越的技術(shù)創(chuàng)新實力及產(chǎn)品的高可靠性，東芯SPI NAND Flash產(chǎn)品（DS35X4GM-IB）一舉斬獲“2022全球國際電子成就獎之年度存儲器”的獎項。
DS35X4GM-IB，是東芯半導(dǎo)體2021年推出的4Gb SPI NAND Flash，完全擁有自主知識產(chǎn)權(quán)，是國內(nèi)第一顆2xnm的SPI NAND Flash產(chǎn)品，其領(lǐng)先的工藝制程以及較大的容量，填補了市場空缺，使其作為公司新的拳頭產(chǎn)品，一推出就獲得廣泛關(guān)注。
該4Gb SPI NAND Flash(DS35X4GM-IB)為單芯片的串行通信方案，引腳少、封裝尺寸小，且在同一顆粒上集成了存儲陣列和控制器，內(nèi)部集成了ECC糾錯模塊，使其在滿足數(shù)據(jù)傳輸效率的同時，節(jié)約了空間，簡化了客戶設(shè)計，提高了產(chǎn)品可靠性。該產(chǎn)品不但可運用在傳統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)通訊、消費電子等領(lǐng)域，更適合對容量有一定要求的高清視頻監(jiān)控、5G基站及服務(wù)器市場。
隨著汽車電子、人工智能、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的快速發(fā)展，對中小容量存儲芯片的需求隨之高漲，為東芯半導(dǎo)體這樣專注中小容量存儲芯片的企業(yè)創(chuàng)造了前所未有的發(fā)展機遇。
東芯半導(dǎo)體成立于2014年，聚焦于中小容量NAND、NOR、DRAM芯片的設(shè)計、生產(chǎn)和銷售，是國內(nèi)少數(shù)可以同時提供NAND、NOR、DRAM設(shè)計工藝和產(chǎn)品方案的本土存儲芯片研發(fā)設(shè)計公司。其自主設(shè)計研發(fā)并量產(chǎn)的24nm NAND、48nm NOR均為國內(nèi)目前領(lǐng)先的NAND、NOR工藝制程，實現(xiàn)了閃存芯片技術(shù)的突破。
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