頂點光電子商城2025年8月15日消息：近日，英諾賽科（Innoscience）推出的全球首款100V低邊驅動器芯片INS1011SD，是氮化鎵（GaN）技術在電力電子領域的重要突破。該芯片專為驅動雙向VGaN?功率器件設計，通過優化柵極驅動、簡化電路設計、提升系統效率，為電池管理系統（BMS）、儲能系統、電動交通等領域提供了高效、緊湊、低成本的解決方案。
INS1011SD典型靜態電流僅8μA，顯著延長電池供電設備的待機時間，尤其適用于需要長期休眠的BMS系統。具備納秒級開通和關斷能力，快速響應故障保護需求，降低開關損耗，提升系統效率。支持多顆VGaN?器件并聯，滿足高功率密度和大電流應用場景（如儲能、電動交通）。
其工作電壓范圍覆蓋8V-90V，適配多樣化電池組需求，關鍵引腳耐壓高，增強系統可靠性。兼容主流AFE（模擬前端）和MCU（微控制器）控制邏輯，采用標準SOP-8封裝，便于工程師集成到現有BMS設計中。結合VGaN?器件（體積遠小于傳統Si MOSFET），簡化驅動電路，減少PCB占板面積，實現系統級體積和重量縮減。
INS1011SD與VGaN?結合，完美替代傳統BMS中兩顆或多顆背靠背Si MOSFET及其復雜驅動電路，消除雙倍導通損耗和開關損耗，提升系統能效。通過減少元器件數量（如MOSFET、驅動芯片）和PCB面積，直接降低系統物料成本（BOM成本）和制造成本。
應用場景拓展，適用于低壓至中壓電池包（如電動兩輪車、機器人、儲能電池模組）的低邊保護開關，以及便攜式儲能電源、家庭儲能模塊、輕型電動車（LEV）、AGV、叉車等電池系統的保護電路。
隨著全球碳中和目標推進和電氣化浪潮深入，鋰電池在儲能、電動交通、消費電子等領域的應用爆發式增長，對高效、安全、緊湊、低成本的BMS需求激增。
在100V及以下電壓等級的低邊開關應用中，INS1011SD+VGaN?方案對傳統Si MOS的替代趨勢明確，性價比優勢顯著。英諾賽科作為IDM（垂直整合制造商），提供從VGaN?器件到專用驅動IC的完整解決方案，供應鏈可靠，技術協同性強，生態壁壘逐漸形成。
英諾賽科INS1011SD的推出，不僅填補了100V級VGaN?專用驅動的市場空白，更標志著其從單一器件供應商向完整系統解決方案提供商的成功跨越。該芯片與高性能雙向VGaN?器件的協同創新，為BMS、儲能、電動交通等領域帶來了小型化、高效化、低成本化的解決方案，有效解決了傳統硅基方案的多重技術瓶頸。隨著組件生態系統的不斷完善和應用案例的持續落地，英諾賽科正有力推動氮化鎵技術在更廣泛的電力電子應用中實現便捷、高效的部署，為產業升級和綠色能源發展注入強勁動力。
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