頂點(diǎn)光電子商城2025年7月21日消息：近日，日本芯片制造商Rapidus已正式啟動(dòng)2nm晶圓試產(chǎn)，并計(jì)劃于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，這一進(jìn)展標(biāo)志著全球最先進(jìn)邏輯制程競爭格局從“三強(qiáng)并立”演變?yōu)椤八男蹱幇浴薄?/span>
Rapidus于2025年7月18日宣布，在其位于北海道千歲市的IIM-1工廠啟動(dòng)2nm全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管結(jié)構(gòu)的原型試制，并公開展示了首批2nm GAA晶圓。IIM-1工廠于2023年9月破土動(dòng)工，2024年12月完成潔凈室建設(shè)，2025年4月1日實(shí)現(xiàn)了首次圖案曝光與顯影，至2025年6月已連接超200套設(shè)備，包括先進(jìn)的DUV和EUV光刻工具。
Rapidus選擇直接從40nm跳躍至2nm，這種技術(shù)跨越在半導(dǎo)體史上絕無僅有。2nm制程的核心挑戰(zhàn)在于晶體管結(jié)構(gòu)從傳統(tǒng)FinFET轉(zhuǎn)變?yōu)镚AAFET，需實(shí)現(xiàn)多閾值電壓以確保芯片在低電壓下執(zhí)行復(fù)雜計(jì)算。
Rapidus依托三大技術(shù)支柱：與IBM合作獲得2nm技術(shù)基礎(chǔ)，聯(lián)合比利時(shí)IMEC獲取EUV光刻技術(shù)，以及佳能、鎧俠開發(fā)的納米壓印技術(shù)作為“秘密武器”。IBM和Rapidus還引入兩種不同的選擇性減少層（SLR）芯片構(gòu)建工藝，成功解決多閾值電壓問題。
Rapidus的加入使全球最先進(jìn)邏輯制程競爭格局從“三足鼎立”演變?yōu)椤八男蹱幇浴?，盡管比競爭對手稍晚，但憑借技術(shù)跨越和差異化定位，有望在高端制程領(lǐng)域占據(jù)一席之地。
展望未來，Rapidus還將積極布局2納米之后的1.4納米技術(shù)，并強(qiáng)調(diào)如果不能在2年半到3年左右的時(shí)間內(nèi)致力于開發(fā)下一代技術(shù)，就無法在產(chǎn)業(yè)鏈中取勝。
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