頂點光電子商城2025年7月2日消息：近日，瑞薩電子宣布推出三款新型高壓650V GaN FET——TP65H030G4PRS、TP65H030G4PWS和TP65H030G4PQS，進一步鞏固其在氮化鎵（GaN）功率半導體領域的領先地位。此次發布的產品基于第四代增強型SuperGaN?平臺，結合瑞薩對Transphorm的收購成果，針對AI數據中心、電動汽車充電、可再生能源等高功率密度場景提供高效解決方案。
三款產品均實現30mΩ低導通電阻，較上一代產品降低14%，顯著減少導通損耗。導通電阻與輸出電容乘積（RDS(on)×Coss）提升20%，優化開關損耗與效率平衡。4V閾值電壓高于傳統增強型GaN器件，增強抗干擾能力，提升系統穩定性。
封裝與熱管理方面，提供TOLT、TO-247、TOLL三種封裝選項，支持頂部或底部散熱路徑，滿足不同功率等級（1kW-10kW）需求。表面貼裝封裝（如TOLT）降低外殼溫度，便于高電流場景下的器件并聯，提升功率擴展性。
基于耗盡型（d-mode）常關斷架構，集成高壓GaN HEMT與低壓硅MOSFET，實現常閉操作，同時兼容標準硅驅動器，簡化設計流程。更低柵極電荷（Qg）、輸出電容（Coss）及交叉損耗，減少開關損耗，提升高頻效率。
應用場景方面，瞄準高功率密度需求。AI數據中心與服務器電源，支持新型800V高壓直流架構，提升功率轉換效率，滿足AI計算對高能效、緊湊體積的需求。電動汽車充電，適用于高壓快充系統，通過高開關頻率和低損耗特性，縮短充電時間并降低熱管理成本。可再生能源與儲能，太陽能逆變器、電池儲能系統（BESS）及不間斷電源（UPS）中，提升能量轉換效率，減少系統體積與重量。工業電機驅動，在工業自動化場景中，提供高可靠性、高效率的功率轉換，支持設備小型化與能效升級。
通過收購Transphorm，瑞薩電子將成熟的SuperGaN?平臺與自身驅動器、控制器產品整合，提供系統級解決方案，降低客戶設計復雜度與總成本。
性能對比優勢，效率提升：相比硅基器件，GaN FET開關損耗降低50%以上，功率密度提升3倍。成本優化：更小裸片尺寸（較前代縮小14%）降低系統成本，輸出電容減少20%，提升效率與可靠性。設計兼容性，兼容標準硅驅動器，無需專用驅動電路，降低GaN技術采用門檻，加速產品落地。
瑞薩電子此次發布的三款GaN FET，標志著其在高壓功率半導體領域的進一步深耕。通過技術創新與生態整合，瑞薩電子不僅強化了自身在AI、電動汽車、可再生能源等高增長市場的競爭力，也為行業提供了更高效、可靠的功率轉換解決方案。
隨著GaN技術在800V高壓架構、高頻應用中的滲透率提升，瑞薩電子有望憑借其全面的產品組合（覆蓋25W至10kW功率范圍）和垂直整合能力，持續引領功率電子行業的變革，推動“高功率密度、高效率、低成本”的電源系統普及。
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