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      頂點光電子商城2025年4月22日消息：近日，清純半導體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ。

       首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，額定電壓1.2kV，額定電流超過220A，室溫閾值電壓典型值為2.7~2.8V。在等效芯片面積下，導通損耗較上一代降低約20%。在相同芯片尺寸下，寄生電容進一步降低，開關速度顯著提升。MOSFET體二極管的反向恢復特性得到改善，峰值電流Irrm降低近30%，軟度tb/ta大幅優化，電壓過沖Vrrm顯著改善。

         該平臺產品專為新能源汽車主驅設計，可承受高電流密度與高頻開關需求，幫助電機驅動器釋放SiC高功率密度及高能量轉化效率潛力，提高續航里程。憑借其高效率、低損耗特性，第3代SiC MOSFET平臺可廣泛應用于光伏逆變器、UPS電源、高壓DC/DC變換器等工業場景，推動綠色能源存儲與工業電子的發展。

          新產品繼承了前兩代產品在可靠性方面的優勢，通過了傳統柵極可靠性試驗（如HTGB）等加嚴測試，確保在長期使用中保持優異的均流特性。清純半導體已通過IATF16949汽車質量管理體系認證，第3代SiC MOSFET平臺產品全面符合國際汽車行業質量管理標準，為車規級應用提供堅實保障。

          清純半導體第3代SiC MOSFET平臺的推出，不僅體現了公司在技術研發上的深厚積累，也為全球新能源與高效能系統的發展提供了關鍵技術支持。隨著碳化硅技術的不斷成熟，清純半導體有望在電動汽車、綠色能源、工業電子等領域發揮更大作用，助力全球能源轉型與可持續發展。

         清純半導體將繼續以市場為導向，以客戶為中心，通過持續的技術創新與高質量的產品服務，為全球客戶提供更優的功率器件解決方案，推動碳化硅技術的廣泛應用與產業升級。