頂點光電子商城2025年4月22日消息：近日，清純半導(dǎo)體推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)平臺，該平臺首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ。
首款主驅(qū)芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導(dǎo)通電阻低至8mΩ，額定電壓1.2kV，額定電流超過220A，室溫閾值電壓典型值為2.7~2.8V。在等效芯片面積下，導(dǎo)通損耗較上一代降低約20%。在相同芯片尺寸下，寄生電容進(jìn)一步降低，開關(guān)速度顯著提升。MOSFET體二極管的反向恢復(fù)特性得到改善，峰值電流Irrm降低近30%，軟度tb/ta大幅優(yōu)化，電壓過沖Vrrm顯著改善。
該平臺產(chǎn)品專為新能源汽車主驅(qū)設(shè)計，可承受高電流密度與高頻開關(guān)需求，幫助電機驅(qū)動器釋放SiC高功率密度及高能量轉(zhuǎn)化效率潛力，提高續(xù)航里程。憑借其高效率、低損耗特性，第3代SiC MOSFET平臺可廣泛應(yīng)用于光伏逆變器、UPS電源、高壓DC/DC變換器等工業(yè)場景，推動綠色能源存儲與工業(yè)電子的發(fā)展。
新產(chǎn)品繼承了前兩代產(chǎn)品在可靠性方面的優(yōu)勢，通過了傳統(tǒng)柵極可靠性試驗（如HTGB）等加嚴(yán)測試，確保在長期使用中保持優(yōu)異的均流特性。清純半導(dǎo)體已通過IATF16949汽車質(zhì)量管理體系認(rèn)證，第3代SiC MOSFET平臺產(chǎn)品全面符合國際汽車行業(yè)質(zhì)量管理標(biāo)準(zhǔn)，為車規(guī)級應(yīng)用提供堅實保障。
清純半導(dǎo)體第3代SiC MOSFET平臺的推出，不僅體現(xiàn)了公司在技術(shù)研發(fā)上的深厚積累，也為全球新能源與高效能系統(tǒng)的發(fā)展提供了關(guān)鍵技術(shù)支持。隨著碳化硅技術(shù)的不斷成熟，清純半導(dǎo)體有望在電動汽車、綠色能源、工業(yè)電子等領(lǐng)域發(fā)揮更大作用，助力全球能源轉(zhuǎn)型與可持續(xù)發(fā)展。
清純半導(dǎo)體將繼續(xù)以市場為導(dǎo)向，以客戶為中心，通過持續(xù)的技術(shù)創(chuàng)新與高質(zhì)量的產(chǎn)品服務(wù)，為全球客戶提供更優(yōu)的功率器件解決方案，推動碳化硅技術(shù)的廣泛應(yīng)用與產(chǎn)業(yè)升級。
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