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         頂點光電子商城2025年2月18日消息：近日，英飛凌推出了首批采用200毫米晶圓制造的SiC（碳化硅）器件。

        在半導體制造領域，從較小的晶圓（如150毫米）過渡到更大的晶圓（如200毫米）面臨著重重技術挑戰。然而，這一過渡對于降低器件成本、提高生產效率具有重要意義。英飛凌科技股份公司作為全球領先的半導體供應商，在200毫米SiC技術研發方面取得了重要突破。公司計劃并于2025年第一季度向客戶交付首批基于200毫米SiC晶圓技術的產品。

        這批產品由英飛凌位于奧地利菲拉赫的生產基地制造。與此同時，英飛凌位于馬來西亞居林的另一重要生產基地也在積極推動生產工藝的升級，從150毫米晶圓向200毫米晶圓過渡。新建的第三模塊（Module 3）按計劃推進，預計將在未來實現大規模量產，以滿足市場對高性能半導體產品日益增長的需求。

          這批200毫米SiC器件旨在為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統、鐵路運輸和電動汽車等。隨著電動汽車和清潔能源需求的快速增長，SiC半導體的市場前景被廣泛看好。英飛凌的200毫米SiC產品不僅有助于滿足客戶對高性能產品的需求，還將推動整個產業鏈向更高效、更環保的方向發展。

         英飛凌一直致力于通過技術創新推動綠色能源的普及與應用。此次200毫米SiC產品的推出，是公司長期技術發展戰略中的重要一步。作為功率半導體領域的全球領導者，英飛凌通過推出200毫米SiC產品，進一步鞏固了其在整個功率半導體領域（包括硅、SiC和GaN）的技術領導地位。

         綜上所述，英飛凌推出首批采用200毫米晶圓制造的SiC器件是其技術發展和市場拓展的重要里程碑。這一舉措不僅有助于滿足客戶對高性能產品的需求，還將推動整個半導體產業鏈向更高效、更環保的方向發展。