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           頂點(diǎn)光電子商城2024年11月13日消息：近日，東芝推出了具有低導(dǎo)通電阻和高可靠性的適用于車載牽引逆變器的最新款1200V SiC MOSFET。

           這款新產(chǎn)品被命名為“X5M007E120”，是一款用于車載牽引逆變器的裸片1200V碳化硅（SiC）MOSFET。其創(chuàng)新的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)使得該產(chǎn)品能夠?qū)崿F(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高可靠性，從而滿足車載牽引逆變器對(duì)高性能和高可靠性的需求。

          X5M007E120典型值RDS(ON)在VGS=+18V、Ta=25°C時(shí)為7.2mΩ，在VGS=+18V、Ta=175°C時(shí)為12.1mΩ。這種低導(dǎo)通電阻特性有助于節(jié)省用于電機(jī)控制的逆變器的電能，例如牽引逆變器。

            通過(guò)在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結(jié)構(gòu)，提高了產(chǎn)品的可靠性。

嵌入的SBD采用格紋形態(tài)排列，相比常用的條形形態(tài)，能夠更高效地抑制器件體二極管的雙極通電。具有深勢(shì)壘結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，可在短路狀態(tài)下抑制MOSFET的過(guò)大電流和SBD的漏電流，從而保持針對(duì)反向傳導(dǎo)工作的極高可靠性。

           該產(chǎn)品為未封裝芯片產(chǎn)品，用戶可根據(jù)其特定的設(shè)計(jì)需求定制裸片，實(shí)現(xiàn)面向其應(yīng)用的解決方案。通過(guò)AEC-Q100認(rèn)證，確保產(chǎn)品符合車載應(yīng)用的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)。漏極—源極電壓額定值VDSS為1200V，漏極電流（DC）額定值ID為（229）A（暫定值）。

           該產(chǎn)品主要適用于車載牽引逆變器，可將電池供電的DC電源轉(zhuǎn)換為AC電源，并可控制電動(dòng)汽車（EV）或混合動(dòng)力電動(dòng)車（HEV）的電機(jī)。

           東芝預(yù)計(jì)將在2025年提供X5M007E120的工程樣品，并在2026年投入量產(chǎn)。同時(shí)，東芝將進(jìn)一步探索器件特征的改進(jìn)，以提供更高性能和更高可靠性的電源半導(dǎo)體產(chǎn)品。

            總之，東芝推出的這款1200V SiC MOSFET產(chǎn)品具有顯著的低導(dǎo)通電阻和高可靠性特性，將廣泛應(yīng)用于車載牽引逆變器等領(lǐng)域，為電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力電動(dòng)車的電機(jī)控制提供高效、可靠的解決方案。