頂點光電子商城2024年11月13日消息：近日，北京天科合達半導體股份有限公司（以下簡稱“天科合達”）宣布其“第三代半導體碳化硅襯底產業化基地建設二期項目”在北京正式開工。這一項目的啟動標志著天科合達在碳化硅材料領域邁出了重要的一步，旨在擴大其碳化硅晶體與晶片的產能，并推動碳化硅技術的進一步發展。
碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料的代表，具有優異的電學和熱學性能，在電動汽車、軌道交通、高壓輸變電、光伏、5G通訊等領域有著廣泛的應用前景。隨著全球對高效能電子系統的需求不斷增長，碳化硅材料的市場需求也在持續增加。因此，擴大碳化硅襯底的產能，提高生產效率，降低成本，對于推動碳化硅技術的廣泛應用具有重要意義。
天科合達作為國內領先的碳化硅材料供應商，積極響應國家戰略需求，專注于第三代半導體材料的創新研發及量產工作。此次二期項目的開工，不僅將推動公司在碳化硅襯底材料領域的技術進步和產能擴張，還能通過優化生產流程和提高效率，有效降低成本，為國產碳化硅材料在功率器件、微波射頻器件等領域的應用奠定堅實基礎。
該二期項目位于北京市大興區大興新城東南片區，總占地面積52790.032平方米，總建筑面積105913.29平方米。項目包括生產廠房、化學品庫、危廢庫、一般固廢庫、綜合樓、門衛等設施，用于擴大天科合達碳化硅晶體與晶片的產能，并建設研發中心以持續優化和完善生產工藝和參數。
投產后，該項目將實現年產約37.1萬片導電型碳化硅襯底，其中6英寸導電型碳化硅襯底23.6萬片，8英寸導電型碳化硅襯底13.5萬片。這將有助于天科合達進一步鞏固其在碳化硅材料市場的領先地位，并滿足國內外市場對高質量碳化硅襯底的需求。
目前，全球碳化硅產業呈現美、歐、日三足鼎立的局面，受下游應用需求推動，碳化硅邁入加速發展期。8英寸碳化硅成為各方攻略的新堡壘，憑借成本等綜合優勢，市場對8英寸碳化硅的部署步伐不停。
天科合達作為國內少數能夠進入國際知名企業的高端技術產品供應商，其產品已暢銷至日本及歐美在內的20多個國家和地區。此次二期項目的開工，將進一步提升公司的產能和競爭力，有助于公司在全球碳化硅市場中占據更大的份額。
同時，天科合達也面臨著來自國內外競爭對手的挑戰。英飛凌、意法半導體、安森美等國際大廠持續布局碳化硅產能，穩固其市場地位；而國內企業如三安光電、天岳先進等也在積極擴大碳化硅襯底的產能。因此，天科合達需要不斷創新和優化生產工藝，以提高產品質量和降低成本，從而在激烈的市場競爭中保持領先地位。
隨著北京二期項目的啟動，天科合達將開啟嶄新的發展篇章。該項目不僅將推動公司在碳化硅襯底材料領域的技術進步和產能擴張，還能通過優化生產流程和提高效率，有效降低成本。未來，天科合達將繼續專注于碳化硅材料的研發和生產，推動碳化硅技術的廣泛應用和發展。
同時，天科合達也將積極參與國內外碳化硅產業的合作與交流，加強與國際知名企業的合作與競爭，共同推動全球碳化硅產業的進步和發展。相信在不久的將來，天科合達將成為全球碳化硅材料領域的領軍企業之一。
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