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          頂點光電子商城2024年3月22日消息：近日，德州儀器計劃大規模將氮化鎵（GaN）芯片的生產從6英寸晶圓轉換為8英寸晶圓，這是其提高生產效率、降低成本并增強市場競爭力的戰略舉措。

          首先，將生產工藝從6英寸晶圓升級到8英寸晶圓，最直接的好處是提高了每個晶圓上的芯片數量。由于8英寸晶圓的面積是6英寸晶圓的1.78倍，因此可以生產更多的芯片，從而顯著提高生產效率。

           其次，這種轉變也有助于德州儀器降低生產成本。隨著晶圓尺寸的增大，單位器件的成本通常會呈下降趨勢。有業內人士表示，從6英寸生產工藝轉向8英寸工藝，有望將生產成本降低10%以上。這對于德州儀器來說，意味著能夠以更低的成本生產更多的芯片，從而增強其在市場上的競爭力。

           此外，德州儀器還計劃將電源管理芯片的生產從8英寸晶圓廠轉變為12英寸晶圓。12英寸晶圓的面積是8英寸晶圓的2.25倍，因此，這一轉變將進一步提高生產效率并降低成本。

           德州儀器已經在達拉斯和日本會津的工廠開始準備興建8英寸晶圓廠，以支持其GaN芯片的生產。其中，達拉斯工廠有望在2025年之前完成過渡，而日本會津工廠則正在將現有的硅基8英寸產線轉換為GaN半導體產線。這一舉措顯示了德州儀器在推進GaN芯片生產方面的決心和實力。

            總的來說，德州儀器大規模將GaN芯片生產由6英寸轉換成8英寸是一項具有戰略意義的決策。它不僅能夠提高生產效率、降低成本，還有助于增強德州儀器在氮化鎵芯片市場的競爭力。隨著這一轉變的推進，我們可以期待德州儀器在未來能夠在氮化鎵芯片領域取得更大的成功。