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英飛凌與現(xiàn)代、起亞簽署多年期功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議

         頂點(diǎn)光電子商城2023年10月19日消息:近日,英飛凌、現(xiàn)代汽車(chē)和起亞汽車(chē)10月18日發(fā)布聲明稱(chēng),三方已簽署一項(xiàng)多年期SiC和Si功率半導(dǎo)體供應(yīng)協(xié)議。


         根據(jù)協(xié)議,英飛凌將在2030年前向現(xiàn)代起亞供應(yīng)SiC和Si功率模塊與芯片,現(xiàn)代起亞則會(huì)出資支持英飛凌的產(chǎn)能建設(shè)與儲(chǔ)備。



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          SiC(碳化硅)功率器件是一種新型的半導(dǎo)體器件,具有高溫、高電壓和高頻率等優(yōu)異的特性。相比傳統(tǒng)的硅功率器件,SiC功率器件具有更低的開(kāi)關(guān)損耗、更高的開(kāi)關(guān)速度和更好的熱穩(wěn)定性。


         SiC功率器件主要有MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管)和Schottky二極管兩種類(lèi)型。MOSFET具有較低的導(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)關(guān)速度,適用于高頻率和高效率的應(yīng)用;而Schottky二極管則具有非常低的正向壓降和快速的開(kāi)關(guān)特性,適用于高速開(kāi)關(guān)和反向恢復(fù)時(shí)間要求嚴(yán)格的應(yīng)用。


           SiC功率器件在電力電子、電動(dòng)車(chē)、太陽(yáng)能逆變器、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和航空航天等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用。它們能夠提高系統(tǒng)的能效、減小體積和重量,并具有更好的可靠性。


           SiC功率器件相對(duì)Si基器件效率更高、尺寸更小,在新能源汽車(chē)、光伏、儲(chǔ)能等領(lǐng)域快速滲透,有助于“雙碳”目標(biāo)的實(shí)現(xiàn),也是高速成長(zhǎng)的藍(lán)海市場(chǎng)。

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