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           頂點光電子商城8月10日消息：近日，SK海力士在美國圣克拉拉舉行的2023閃存峰會（Flash Memory Summit 2023）上，首次展示了全球首款321層NAND閃存。

            NAD閃存芯片是一種非易失性存儲器設備，廣泛應用于各種電子設備中，如固態硬盤（SSD）、USB閃存驅動器、存儲卡（如SD卡、MicroSD卡）以及移動設備（如智能手機、平板電腦）等。它以其高速、高密度、耐用性和低功耗等特點，在數據存儲領域占據重要地位。

           NAND閃存芯片根據每個單元(Cell)可以存儲的信息量（比特,bit）可分為SLC(Single level Cell)、MLC （Muti Level Cell）、TLC（Triple Level Cell）、QLC（Quadruple Level Cell）、PLC（Penta Level Cell）等規格。單元信息存儲容量越大，意味著單位面積可以儲存的數據越多。

           321層1Tb TLC NAND的效率比上一代238層512Gb提高了59%。這是由于數據存儲的單元可以以更多的單片數量堆棧至更高，在相同芯片上實現更大存儲容量，進而增加了單位晶圓上芯片的產出數量。

          NAND閃存芯片在各種數據存儲和傳輸應用中發揮著重要作用，通過不同的類型和配置，可以滿足不同設備和應用的需求。SK海力士將以通過開發第五代4D NAND 321層閃存產品，鞏固品牌在NAND技術領域的領先地位。