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           頂點光電子商城7月5日消息：近日，碳化硅襯底廠商天岳先進表示，公司具備碳化硅襯底制備全流程核心關鍵技術，已與國際半導體知名企業加強合作，包括英飛凌、博世集團等全球知名企業。

           碳化硅單晶襯底材料是一種寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、熱導率高、擊穿電場強度高、電子飽和漂移速度高等優良的物理化學特性，是制備碳化硅電力電子器件、氮化鎵微波功率器件和大功率高亮度LED的最佳襯底材料，屬于高技術戰略材料。

           其中基于碳化硅襯底的氮化鎵微波器件功率密度較砷化鎵器件提高5倍以上，散熱性能好，可以極大提高微波系統的功率，減小體積，已經在雷達等軍事電子裝備中得到批量應用，而且也是未來5G通信的核心微波器件。碳化硅電力電子器件導通電阻比硅器件低1000倍左右，可大幅降低電力損耗，開關速度比硅器件高100倍左右，功率密度大幅度提升，在新能源汽車、光伏逆變、電力機車、高壓速變電等領域有廣闊的應用前景。

            SiC半導體應用發展進入快車道，特別是在高壓高功率領域優勢更加凸顯，新的應用場景不斷涌現。在市場需求爆發的背景下，SiC的供需缺口也較大。

            未來，公司持續加大研發力度，在晶體生長和缺陷控制等核心技術領域展開密集的試驗，不斷突破技術瓶頸，提高產品良率。