近日，浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心先進半導體研究院-杭州乾晶半導體聯合實驗室經過系列技術攻關，在大尺寸碳化硅（SiC）單晶生長及其襯底制備方面取得突破，成功生長出厚度達27毫米的8英寸n型碳化硅單晶錠，并加工獲得了8英寸碳化硅襯底片，成功躋身8英寸碳化硅俱樂部，該項技術突破有望顯著降低碳化硅功率器件的成本，助力半導體碳化硅產業(yè)的發(fā)展。
碳化硅是第三代半導體產業(yè)發(fā)展的重要基礎材料，以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求，在新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網等領域具有重要應用潛力。然而，碳化硅襯底作為成本最高、技術壁壘最高的環(huán)節(jié)，其產能卻遠不足以匹配市場需求，碳化硅襯底的革新迫在眉睫。
SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達~45%。為了降低單個器件的成本，進一步擴大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。
8英寸SiC導電型碳化硅研制成功是物理所在寬禁帶半導體領域取得的又一個標志性進展，研發(fā)成果轉化后，將有助于增強我國在導電型SiC的國際競爭力，促進我國寬禁帶半導體產業(yè)的快速發(fā)展。
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