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          近日，全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，SK 海力士成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品，目前正在向客戶提供樣品，并進行性能評估。

          HBM 全稱 high bandwidth memory，新型 CPU / GPU 內存芯片，將多個 DDR 芯片堆疊在一起后和 GPU 封裝在一起，實現大容量，高位寬的 DDR 組合陣列。

          HBM 是 SK 海力士在 2013 年首次開發出來的一種內存，由于它在實現運行在高性能計算（HPC）系統中的生成型 AI 中起著至關重要的作用，因此受到了內存芯片行業的廣泛關注。最新的 HBM3 標準尤其被認為是快速處理大量數據的理想產品，因此其被全球主要科技公司采用的情況越來越多。

          近年來，AI 服務器出貨動能強勁帶動 HBM 需求提升，SK 海力士以全球頂級后端工藝技術力為基礎，接連開發出了超高速、高容量的HBM DRAM產品。將在今年上半年內完成新產品的量產準備，以鞏固人工智能時代尖端DRAM市場的主導權。