頂點光電子商城1月28日消息：近日，SK海力士官宣其開發出了LPDDR5T移動DRAM，并已經向目標用戶提供相關樣品進行試驗。
SK海力士于去年11月推出移動DRAM LPDDR5X后，時隔2個月開發出性能提升的LPDDR5T。
LPDDR5T的傳輸速率可達每秒9.6Gbps，相比較于2020推出的LPDDR5X速度提升13%。為強調其超高速度，SK海力士在“LPDDR5”規格名稱后添加了“Turbo（渦輪增壓）”字樣。SK海力士官方表示，LPDDR5T符合JEDEC設定的1.01-1.12V工作電壓范疇，這是一種速度極快并且可滿足低功耗需求的產品，預計將為智能手機等產品帶來進一步的收益。
LPDDR5T將為客戶提供16GB的多芯片封裝產品，并且將在2023年下半年將10nm技術的第四代1αnm工藝投入到LPDDR5T的生產中。
另外，SK海力士計劃從今年下半年起量產基10納米級第4代（1a）精細工藝產品，還將把“HKMG（High-K Metal Gate）”工藝采用于其新產品。HKMG工藝是在DRAM晶體管內的絕緣膜上采用高K柵電介質防止泄漏電流，改善靜電容量的新一代工藝，其特點是既能提高內存速度度，又能降低功耗。
Hynix 海力士芯片生產商，源于韓國品牌英文縮寫"HY"。海力士即原現代內存，2001年更名為海力士。海力士半導體是世界第三大DRAM制造商，也在整個半導體公司中占第九位。
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