頂點光電子商城12月13日消息：近日，至訊創(chuàng)新完全自主研發(fā)的國內(nèi)首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片研制成功，預(yù)計將于明年年初全面投放市場。
這是國內(nèi)首款全自研、運用先進工藝的中小容量高可靠性19nm 2D NAND閃存芯片。產(chǎn)品將覆蓋512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V電壓，并采用業(yè)界主流串行接口SPI和WSON封裝。這是國內(nèi)存儲行業(yè)的跨越式突破，技術(shù)水平已趕超國際一流。
該芯片可滿足消費級產(chǎn)品對可靠性的需求，還可達到工規(guī)和車規(guī)等高可靠性應(yīng)用場景對擦寫次數(shù)和數(shù)據(jù)保留的要求。至訊創(chuàng)新數(shù)據(jù)顯示，該產(chǎn)品實現(xiàn)了芯片面積縮小 40%，I / O 速度提升 25%，擦寫周期提升 70%。
在如今大數(shù)據(jù)時代，NAND閃存無疑是數(shù)據(jù)存儲的奠基者。不管是手機、電腦、家電還是汽車、安防等行業(yè)，都少不了NAND閃存的身影，其重要性可見一斑。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同的單位面積上，TLC閃存比MLC存儲的數(shù)據(jù)更多，而MLC又比SLC存儲的數(shù)據(jù)多。
此次19nm芯片的成功研制是至訊創(chuàng)新破繭成蝶的第一步，未來至訊創(chuàng)新將持續(xù)加大研發(fā)投入，與更多合作伙伴展開更深度協(xié)作，保持每年兩到三個先進工藝項目的開展，使更具有創(chuàng)新力、競爭力的產(chǎn)品陸續(xù)登陸市場。
至訊創(chuàng)新科技（無錫）有限公司成立于2021年10月，總部位于江蘇無錫，在上海、深圳、香港等地均已設(shè)立分支機構(gòu)，完備的營銷及服務(wù)網(wǎng)絡(luò)為客戶提供快捷、優(yōu)質(zhì)的支持。旨在領(lǐng)導(dǎo)存儲技術(shù)創(chuàng)新，成為全球存儲行業(yè)的領(lǐng)軍者。專注于中小容量存儲芯片的研發(fā)，團隊可全面覆蓋設(shè)計、測試、工藝提升等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，且具備完全自主可控的知識產(chǎn)權(quán)。在質(zhì)量管理方面，公司有嚴格的標準與要求，已獲得ISO 9001等國際質(zhì)量體系認證，同時積極推進產(chǎn)業(yè)整合，與全球多家領(lǐng)先晶圓廠、封裝廠達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。
鄂公網(wǎng)安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
