頂點光電子商城2022年9月5消息：近日，晶盛機電在電話會議上表示，公司已成功生長出行業(yè)領(lǐng)先的8英寸碳化硅晶體，并建設(shè)了6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線。
SiC器件的成本主要由襯底、外延、流片和封測等環(huán)節(jié)形成，襯底在SiC器件成本中占比高達(dá)~45%。為了降低單個器件的成本，進(jìn)一步擴大SiC襯底尺寸，在單個襯底上增加器件的數(shù)量是降低成本的主要途徑。8英寸SiC襯底將比6英寸在成本降低上具有明顯優(yōu)勢。
SiC器件具有耐高溫、耐高壓、高頻特性好、轉(zhuǎn)化效率高、體積小和重量輕等優(yōu)點，被廣泛應(yīng)用于新能源汽車、軌道交通、光伏、5G通訊等領(lǐng)域。此次研發(fā)成功的8英寸SiC晶體，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發(fā)上取得的重大突破，為大尺寸SiC襯底廣泛應(yīng)用打下基礎(chǔ)。
晶盛機電創(chuàng)建于2006年12月，是國內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體材料裝備和化合物半導(dǎo)體襯底材料制造的高新技術(shù)企業(yè)，以“打造半導(dǎo)體材料裝備領(lǐng)先企業(yè)，發(fā)展綠色智能高科技制造產(chǎn)業(yè)”為使命。目前已形成以光伏半導(dǎo)體裝備、藍(lán)寶石材料、碳化硅裝備及材料三條業(yè)務(wù)布局。碳化硅方面，公司的產(chǎn)品主要有碳化硅長晶、拋光、外延設(shè)備以及6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片，同時公司已建設(shè)6英寸碳化硅晶體生長、切片、拋光環(huán)節(jié)的研發(fā)實驗線，研發(fā)產(chǎn)品已通過下游部分客戶驗證。
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