頂點光電子商城2022年8月17消息：近日，經過晶體實驗室研發團隊半年多的技術攻關，晶盛機電首顆8英寸N型SiC晶體成功出爐，這標志著晶盛機電第三代半導體材料SiC研發自此邁入8英寸時代。
SiC是近年來興起的第三代半導體材料，它是一種寬禁帶半導體材料，可以做到很高的耐壓下芯片還很薄 —— 高耐壓、高功率、高效率、小體積。與第一代的Si材料相比，SiC具有很強的材料屬性優勢：材料屬性的提升，意味著用它們制成的半導體器件應用范圍更廣。與硅基IGBT相比，SiC MOSFET也可以做到6500V耐壓，它不僅結構更簡單，更重要的還是更高的效率 —— 電機在0-4500rpm區間的效率提升5-8%。從器件角度來看，雖然SiC器件的成本高于硅基IGBT；但從系統的整體角度來看，由于效率提升而減少的電池成本更大。有人估算：使用SiC器件增加300美元成本，可帶來2000美元的收益，非常劃算！
近年來，各大SiC廠商加速8英寸晶圓的開發量產進程。國際上，意法半導體瑞典北雪平工廠成功制造出首批8英寸SiC晶圓片；SiC龍頭WolfSpeed啟用并開始試產旗下一座8英寸新廠；法國Soitec半導體公司發布首款8英寸SmartSiC晶圓。國內方面，爍科晶體實現了8英寸N型碳化硅拋光片小批量生產，向8英寸國產N型碳化硅拋光片的批量化生產邁出了關鍵一步；中科院物理所于2021年10月在自研的襯底上初步生長出了8英寸SiC晶體，后又成功生長出了單一4H晶型的8英寸SiC晶體，晶坯厚度接近19.6mm，加工出了厚度約2mm的8英寸SiC晶片。
SiC器件在生產工藝方面要求苛刻，需“高硬度、高脆性、低斷裂韌性”，大尺寸的碳化硅晶體制備一直是行業的“卡脖子”技術。此次研發成功的8英寸SiC晶體，晶坯厚度25mm，直徑214mm，是晶盛在大尺寸SiC晶體研發上取得的重大突破。這不但成功解決了8英寸SiC晶體生長過程中溫場不均、晶體開裂、氣相原料分布等難點問題，同時還破解了SiC器件成本中襯底占比過高的難題，為大尺寸SiC襯底廣泛應用打下基礎。
浙江晶盛機電股份有限公司是一家專業從事晶體材料生長、高端晶體生長設備、自動化裝備的研發、制造與銷售的高新技術企業。公司擁有四家全資子公司和二家控股子公司，含2家高新技術企業，2家軟件企業，3個省級企業技術研發中心。作為一家知名的國內創業板上市公司，晶盛機電的產品（全自動單晶硅生長爐、多晶硅鑄錠爐、晶體爐控制系統、區熔硅單晶爐、藍寶石爐以及晶棒切莫復合加工一體機等）技術均達到了國內領先、國際先進水平，并在高端市場占有率排名第一，多項產品榮獲國家科技部等四部委國家重點新產品、浙江省科技一等獎等獎項。產別分別用于光伏硅電池、半導體和集成電路、IGBT功率器件、LED光電子等四大領域，均屬國家重點發展的戰略性產業。
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