頂點(diǎn)光電子商城2022年4月2日消息：中微半導(dǎo)體是一家以中國為基地，面向全球的微觀加工高端設(shè)備公司，為集成電路和泛半導(dǎo)體行業(yè)提供具有競爭力的高端設(shè)備和高質(zhì)量的服務(wù)。
4月1日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微半導(dǎo)體”）中標(biāo)華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司12臺刻蝕機(jī)。
刻蝕技術(shù)是北方華創(chuàng)的核心技術(shù)之一，此外，其還擁有薄膜技術(shù)、清洗技術(shù)。
資料顯示，本次中標(biāo)的12臺刻蝕機(jī)，分別是3臺鈍化層刻蝕、7臺氧化膜刻蝕、2臺SiN刻蝕，均為等離子體刻蝕工藝。等離子刻蝕，是干法刻蝕中最常見的一種形式，等離子刻蝕工藝實(shí)際上便是一種反應(yīng)性等離子工藝。
近日，中微半導(dǎo)體發(fā)布2021年年度報(bào)告，顯示2021年實(shí)現(xiàn)營收31.08億元，同比增長37%。
中微公司專注于研發(fā)干法刻蝕設(shè)備，用于在晶圓上加工微觀結(jié)構(gòu)，刻蝕設(shè)備方面收入20.04億元，占比64%，同比增長55%。
年報(bào)顯示，該公司2021年產(chǎn)品付運(yùn)腔體數(shù)量為491腔，同比增長66.4%。其中刻蝕設(shè)備方面，CCP刻蝕機(jī)付運(yùn)298腔，同比增長40%。
2021年年末，中微公司的電容耦合高能等離子體刻蝕設(shè)備第1500個(gè)反應(yīng)臺順利付運(yùn)國內(nèi)一家領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商。中微公司陸續(xù)拓展CCP刻蝕設(shè)備產(chǎn)品線。
CP刻蝕機(jī)付運(yùn)134腔，同比增長235%，取得突破性進(jìn)展。
而在業(yè)務(wù)進(jìn)展方面，近日，中微半導(dǎo)體在回答投資者提問時(shí)表示，公司的ICP刻蝕設(shè)備在2021年通過諸多客戶的工藝認(rèn)證并獲得重復(fù)訂單。中微公司的刻蝕設(shè)備產(chǎn)品還包括電感耦合低能等離子體刻蝕設(shè)備和硅通孔刻蝕設(shè)備。
結(jié)合中微半導(dǎo)體年度報(bào)告最新數(shù)據(jù)， ICP刻蝕方面，中微半導(dǎo)體的Primo nanova? ICP 刻蝕產(chǎn)品已經(jīng)在超過15 家客戶的生產(chǎn)線上進(jìn)行 100 多個(gè) ICP 刻蝕工藝的驗(yàn)證，刻蝕設(shè)備的銷量增長率約100%。中微公司的創(chuàng)新技術(shù)和世界一流的專業(yè)技術(shù)使得刻蝕設(shè)備備受廠商青睞。
截止2021年年12月底，已經(jīng)順利交付超180臺反應(yīng)腔，持續(xù)提升ICP刻蝕的市場份額；中微半導(dǎo)體新推出的高輸出率雙反應(yīng)臺ICP刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star?已經(jīng)在國內(nèi)領(lǐng)先客戶的產(chǎn)線上完成認(rèn)證。
同樣應(yīng)用 ICP 技術(shù)的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蝕設(shè)備 Primo TSV200E?、Primo TSV300E?在先進(jìn)系統(tǒng)封裝，（Primo TSV300E該設(shè)備結(jié)構(gòu)緊湊且具有極高的生產(chǎn)率。）2.5 維封裝和微機(jī)電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)線等成熟刻蝕市場開始在 3D 芯片等新興市場的刻蝕工藝上得到驗(yàn)證。中微8英寸硅通孔刻蝕設(shè)備Primo TSV200E?已經(jīng)進(jìn)入昆山西鈦微電子和江陰長電的生產(chǎn)線。未來，還將會收到更多廠商的訂單。
在 CCP刻蝕方面，該公司在先進(jìn)邏輯電路方面，成功取得5nm及以下邏輯電路產(chǎn)線的重復(fù)訂單。
鄂公網(wǎng)安備 42011502001385號 鄂ICP備2021012849號 
