頂點商城2022年1月6日消息，氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料之一，可以滿足現代電子技術對高頻、高壓、高溫、高輻射和高功率等條件的要求，相比硅基半導體，可以使電子元器件的體積縮小超過75%，功耗降低超過50%。因此，GaN廣泛應用在光伏逆變器、通訊設備和電動車快充等領域。
韓國東部高科株式會社（Dongbu HiTek Co., Ltd.，簡稱東部高科）正在研究將GaN材料薄膜，沉淀在硅晶圓上制成硅基GaN，來生產8英寸半導體電子元器件。因為采用硅基GaN技術可以簡化晶圓工藝，提升器件的競爭力，從而提高代工廠的盈利能力。
200mm硅晶圓襯底上制出的GaN MIS-HEMT器件
東部高科是新晉的全球十大晶圓代工廠之一，專門從事8英寸晶圓代工，主營業務為智能機器人、人工智能和物聯網等工業4.0所需要的芯片，進行晶圓代工。在2021年全球晶圓代工的價格大幅上漲的行情下，東部高科在第三季度創造了單季營收新紀錄，相比上季度增幅15.6%，達到2.8億美元，成功躋身全球晶圓代工廠第十位。
硅基GaN并不是東部高科的首創，首次將硅基GaN技術導入晶圓代工的是臺積電。在2020年2月，臺積電與意法半導體合作，采用硅基GaN技術為意法半導體生產GaN器件。臺積電已經規劃在2022年，推動第三代半導體器件進行市場化。
東部高科目前也正在加緊布局第三代半導體，積極開發SiC和GaN等第三代半導體材料應用。據之前透漏的消息，東部高科已經開始進行SiC和GaN生產設備的評估，可能會在今年進行相關產線的建設。在去年11月份就有消息表示，東部高科會在今年第一季度進行SiC和GaN功率器件的研發，這也標志著東部高科正式進入第三代半導體功率市場。
東部高科工程師正在對晶圓進行檢查
目前，東部高科正在研發6至8英寸SiC功率器件，計劃是在今年第一季度推出試產品。同時，東部高科GaN基功率器件的研發也在進行中。此次的報道也證實了東部高科正在加緊布局第三代半導體，打算在新的賽道上實現彎道超車，擴大其全球晶圓代工的市場份額。
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