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     過去，科研人員在將LED芯片縮小成微米大小時都會遇到很多阻礙，一直以來這些問題都在干擾著LED的光發射的效率。

     毋庸置疑，在電子產品開發領域，產品或元件在規格層面上的縮小一直以來都引發熱議。具體到顯示領域，現在LED技術的一個主要發展的大方向，就是如何能夠在保持效率的同時進一步縮小芯片的尺寸，這一成果成功可能會誕生一批尺寸更小但分辨率非常高的顯示器。

     最近，阿卜杜拉國王科技大學中的科研人員就在學術期刊上，發表了一種全新的Micro-LED技術。在經過系統的分析后，該科研團隊認為，這種LED技術的性能非常的好，將來在顯示領域一定能夠大有成就。

     需要注意的是這種LED芯片的面積只有17×17μm²，規格非常小，這種芯片側壁上的缺陷會受到提高漏電流的影響使得輸出效率變低，這一影響機理對紅色LED更為嚴重。由于這些尚未能夠解決的問題導致的阻礙，傳統功能性LED芯片的面積一直都被局限在400μm²以上，無法小于400μm²。

     在具體、準確的分析了目前提升LED芯片效能存在的問題之后，該科研團隊指出，他們研究人員首先使用實驗室幾年前率先采用的金屬有機化合物氣相外延工藝，制作出氮化銦鎵紅色LED外延晶片，在這之后，科研人員再進一步的使用標準的光刻技術蝕刻出10×10陣列17×17μm的LED臺面。這樣一來，他們就可以解決側壁電流泄漏的情況，并通過這個方法從正面解決了該問題。

     在最后，科研人員監控了整個蝕刻工藝，并嘗試運用化學蝕刻去試著清除了一般情況下會導致光發射效率損失的側壁缺陷。科研人員通過一系列評估方案，結果顯示，這一工藝不僅很好的解決了LED側壁上的缺陷，還非常有效地提升該LED的發光效率，其光功率輸出密度得到顯著提高，從每平方毫米1毫瓦升至每平方毫米1.76毫瓦。

     伴隨著側壁缺陷問題的解決，這種17×17μm²的芯片技術有著比傳統技術更高的發光效率，這不僅讓一直局限于400μm²的境地被打破，還讓顯示領域有了邁入新顯示器市場的資本。