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        頂點光電子商城2025年10月17日消息：近日，天成半導體官微宣布，依托自主研發的12英寸碳化硅長晶設備成功研制出12英寸高純半絕緣碳化硅單晶材料，12英寸N型碳化硅單晶材料晶體有效厚度突破35㎜厚。

         據悉，天成半導體現已掌握12英寸高純半絕緣和N型單晶生長雙成熟工藝，且自研的長晶設備可產出直徑達到350㎜的單晶材料。

         資料顯示，天成半導體成立于2021年8月，是一家專注于第三代半導體碳化硅襯底材料研發、生產及晶體生長裝備制造的高新技術企業。

          近年來，天成半導體在碳化硅領域取得了諸多重要進展，率先研發出可量產的8-12英寸導電型和半絕緣型碳化硅單晶材料。

          2022年實現了6英寸導電型和半絕緣型碳化硅晶錠的小批量生產；2023年6月實現8寸SiC單晶技術研發突破，開發出了直徑為 202mm 的8寸SiC單晶；2024年實現了8英寸SiC單晶批量生產，產品厚度均勻性誤差小于2微米。

           今年7月，天成半導體宣布成功研制出12英寸（300mm）N型碳化硅單晶材料，攻克了大尺寸擴徑工藝和低缺陷N型單晶材料的生長工藝，其創新采用的電阻爐工藝使晶體生長速度突破0.4mm/h的行業瓶頸，微管密度降至0.5個 /cm2 以下，良率達到65%。

          截至目前，天成半導體已形成了碳化硅單晶爐制造、碳化硅粉料制備、6-12英寸碳化硅單晶材料生長、生產耗材加工等完整的生產線。實現了從碳化硅長晶設備制造、粉料、籽晶、熱場設計到晶體加工等全流程工藝完全自主可控。