頂點光電子商城2025年9月30日消息：Ushio Inc.（總部：日本東京，社長：朝日崇文，以下簡稱“Ushio”）宣布成功開發出一款新型干涉光刻機，實現了干涉條紋間距精度0.01nm，并具備相位移結構的形成功能。該產品計劃于2027年春季開始銷售。
隨著生成式人工智能（AI）競爭加劇，數據中心的電力消耗成為課題，光電融合※技術備受期待。用于光電融合的激光光源為帶有衍射光柵的DFB-LD（分布反饋型激光器），需求急劇擴大。然而，用于形成衍射光柵的電子束（EB）刻寫設備生產效率低，供應不足。干涉光刻技術被廣泛認為有可能解決EB生產效率低的問題，但由于以下三大課題，尚未實現量產應用。
① 無法獲得穩定的曝光質量
② 間距精度低
③ 無法形成相位移結構
此次，Ushio提出了能夠解決上述三大課題的新型干涉光刻機。
① 采用DPSS激光器和KrF光刻膠，實現優異的曝光穩定性
傳統干涉光刻機采用氣體激光器作為光源，且使用線形成能力強的光刻膠，導致曝光穩定性較低。Ushio的干涉光刻機采用266nm DPSS（半導體泵浦固態）激光器作為光源，化學放大型KrF光刻膠作為光刻材料，在保持曝光性能的同時，實現了優異的曝光穩定性。（圖1） 圖1 實驗數據
② 通過獨特的補償光學系統實現0.01nm的間距精度
Ushio的干涉光刻機能夠以0.01nm的精度直接測量曝光的干涉條紋，并具備補償光學系統以校正與目標間距的偏差。該功能使其能夠達到DFB激光器衍射光柵所需的高間距精度。（圖2）
圖2 適用于DFB激光器的示例（導波路圖案化的SEM圖像）
③ 結合數字全息元件實現相位移結構的形成
相位移層通過在衍射光柵部分形成不連續形狀，可以改善良率。Ushio的干涉光刻機利用高度可控的數字全息元件，實現了與傳統相位移層等效功能的CPM（波紋間距調制）結構。
在設備銷售開始前，廣泛接受打樣測試。該裝置不僅適用于半導體激光器，也在增強現實（AR）所需的光學部件制造方面具有巨大應用潛力。
Ushio將繼續通過“光”實現工業流程領域的技術革新。此外，本技術內容計劃于9月8日至12日在岡山大學舉辦的電子信息通信學會學會大會上發表。
※光電融合：將處理電信號的電子電路與處理光信號的光電路整合，通過將數據處理和通信從電信號轉為光信號，實現高速化、低功耗化和大容量化的技術。
3D-CAD圖
設備概要規格
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