頂點光電子商城2025年9月8日消息：近日，晶飛半導體成功研發國內首臺自主研發的激光剝離設備，實現了12英寸碳化硅晶圓的量產級剝離。該設備從激光器、光學頭到運動平臺，均采用100%國產供應鏈，徹底打破了美德日等國在碳化硅加工設備領域的技術壟斷。
12英寸晶圓相比主流6英寸晶圓，可用面積提升約4倍，單顆芯片成本降低30%—40%。傳統金剛石線鋸切割損耗高達30%，而激光剝離技術將損耗壓至5%以內，一片12英寸晶圓可多產400顆車規級MOSFET。設備報價僅為歐洲同類產品的1/3，交付周期縮短一半，國內碳化硅廠商已排隊至2027年。
按2025年全球碳化硅芯片市場規模120億美元測算，中國廠商一年可節省15億美元成本，相當于3個“蔚小理”一年的研發投入。成本降低將加速碳化硅器件在新能源汽車、可再生能源等領域的應用。
該技術解決了大尺寸碳化硅晶圓加工的技術瓶頸，為全球碳化硅產能擴張提供了設備保障。例如，特斯拉、比亞迪等企業已緊急評估技術導入，以應對未來需求。
技術突破打破了國外廠商對大尺寸碳化硅加工設備的技術壟斷，為我國半導體裝備自主可控提供了重要支撐。國內企業如華為、理想、蔚來等，計劃從2026年起將SiC主驅逆變器國產化率提升至70%。
從6英寸到12英寸的跨越，不僅是尺寸升級，更是中國半導體裝備產業“從0到1”的硬核跨越。激光剝離技術切下的不僅是晶圓，更是套在中國第三代半導體身上多年的“緊箍咒”。未來，隨著技術普及，碳化硅器件將更廣泛地應用于電動汽車、光伏發電、智能電網等領域，推動全球能源與科技革命。
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