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        頂點光電子商城2025年8月25日消息：近日，SK海力士宣布，已開始量產全球首款321層2Tb QLC NAND閃存，并計劃于2026年上半年正式進入AI數據中心市場。

          該閃存采用321層堆疊技術，單芯片容量達2Tb（太比特），是現有QLC NAND閃存容量的兩倍。通過堆疊32個NAND芯片的獨有封裝技術（32DP），實現比現有產品高一倍的集成度，為AI服務器提供超高容量eSSD解決方案。較前代產品翻倍，滿足AI數據中心對高速數據吞吐的需求。寫入性能提升最高56%，緩解了大容量NAND閃存因管理復雜導致的性能下降問題。讀取性能提升18%，通過擴展芯片內獨立操作單元（平面）數量從4個至6個，增強了并行處理能力。能效優化數據寫入功耗效率提高23%以上，在低功耗要求嚴苛的AI數據中心場景中具備更強競爭力。市場定位瞄準AI與數據中心需求

       應用場景方面，PC SSD：計劃首先應用于消費級固態硬盤，提升終端設備存儲密度。企業級eSSD：逐步擴展至數據中心，滿足AI訓練與推理對海量數據存儲的需求。智能手機UFS：未來可能延伸至移動設備，推動嵌入式存儲容量升級。

          SK海力士NAND開發擔當鄭羽杓副社長表示，該產品量產將顯著增強高容量存儲產品組合，同時確保成本競爭力，助力公司向“全方位面向AI的存儲器供應商”轉型。