頂點光電子商城2025年5月29日消息：近日，聯(lián)電與英特爾合作開發(fā)12nm制程并于2027年量產(chǎn)，是雙方基于技術(shù)互補、市場需求及供應(yīng)鏈安全等多重考量下做出的戰(zhàn)略決策，具有顯著的技術(shù)突破意義與商業(yè)價值。
聯(lián)電與英特爾的合作源于雙方在半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)互補性。聯(lián)電在成熟制程（如28nm及以上）擁有豐富的晶圓代工經(jīng)驗，而英特爾則在先進制程（如14nm及以下）和FinFET晶體管設(shè)計方面具備技術(shù)優(yōu)勢。此次合作旨在整合雙方資源，開發(fā)12nm制程平臺，以滿足移動設(shè)備、通信基礎(chǔ)設(shè)施和網(wǎng)絡(luò)等高增長市場的需求。
12nm制程平臺相較于前代14nm制程，在性能、功耗和面積上均有顯著提升。性能提升：通過FinFET晶體管設(shè)計，實現(xiàn)更高的晶體管密度和更低的漏電率，從而提升芯片性能。功耗降低：優(yōu)化晶體管結(jié)構(gòu)和電路設(shè)計，降低芯片功耗，延長設(shè)備續(xù)航時間。面積縮小：在相同性能下，芯片尺寸更小，有助于降低制造成本。此外，12nm制程避免了使用昂貴的EUV光刻機，使得制程更具成本效益，適合大批量生產(chǎn)。
根據(jù)雙方的合作計劃，12nm制程平臺將于2026年完成開發(fā)，2027年實現(xiàn)量產(chǎn)。量產(chǎn)將主要在英特爾位于美國亞利桑那州的晶圓廠進行，包括Fab 12、Fab 22和Fab 32等。這些晶圓廠擁有先進的制造設(shè)備和豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗，能夠確保12nm制程的順利量產(chǎn)。
推動半導(dǎo)體技術(shù)進步與供應(yīng)鏈多元化12nm制程平臺的開發(fā)將推動半導(dǎo)體技術(shù)向更先進、更高效的方向發(fā)展，滿足市場對高性能、低功耗芯片的需求。聯(lián)電與英特爾的合作將增加半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的多元化，降低對單一地區(qū)或企業(yè)的依賴，提高供應(yīng)鏈的韌性和安全性。12nm制程平臺的量產(chǎn)將加劇半導(dǎo)體市場的競爭，推動其他企業(yè)加快技術(shù)升級和產(chǎn)品創(chuàng)新，從而提升整個行業(yè)的競爭力。
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