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         頂點光電子商城2025年5月28日消息：近日，Bourns 開發了兩款具有納米晶內核的屏蔽式功率電感器，以降低 DDR5 內存系統的功率損耗。

          這兩款電感器采用了納米晶粉末構建技術，結合最新的電感器制造工藝，使得電感器在性能上有了顯著提升。納米晶內核具有高磁導率、低損耗等特性，有助于提高電感器的效率和穩定性。

          SRP2512CL和SRP3212CL系列電感器具有低交流電阻和低直流電阻，這有助于降低功率損耗，提高整體電路的效率。采用屏蔽結構制造，可實現低磁場輻射，減少對周圍電路的干擾，提高系統的電磁兼容性。支持高電流通過，同時保持低蜂鳴噪聲，適用于對噪聲敏感的應用場景。

          另外，這兩款電感器的工作溫度范圍為-40°C至+125°C，能夠適應各種惡劣的工作環境。電感范圍高達1.5微亨（μH），滿足不同應用場景的需求。提供3030和2520封裝尺寸，方便用戶根據實際需求進行選擇。

          應用場景方面，SRP2512CL和SRP3212CL系列電感器可滿足最新的DDR5內存技術規格，適用于臺式電腦、筆記本電腦和平板電腦中的客戶端DDR5模塊。它們能夠降低DDR5內存系統的功率損耗，提高系統的穩定性和可靠性。