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         頂點光電子商城2025年4月7日消息：近日，創意電子（GUC）宣布成功投片全球首款HBM4 IP，采用臺積電（TSMC）最先進的N3P制程和CoWoS-R先進封裝技術，標志著HBM（高帶寬存儲器）技術進入新階段。

         HBM4 IP支持高達12Gbps的數據傳輸速率，相比HBM3提升2.5倍帶寬，同時功耗效率提升1.5倍，面積效率提升2倍。優化信號完整性（SI）與電源完整性（PI），確保在各類CoWoS技術下穩定運行。整合以色列proteanTecs的互連監測電路，提供HBM聯機信號的可觀測性，提升可靠性和能效。

          臺積電的3nm增強版（N3P）提供更高的晶體管密度和能效，適用于高性能計算（HPC）和AI芯片。CoWoS-R封裝采用硅中介層（interposer）技術，優化多芯片集成，適用于HBM4與邏輯芯片的高效連接。

          創意電子成為全球首家完成HBM4控制器與PHY IP投片的公司，鞏固其在2.5D/3D IP市場的領先地位。HBM4的高帶寬和低功耗特性使其成為AI加速器、數據中心GPU的關鍵組件。此前有消息稱，創意電子可能參與SK海力士的HBM4芯片設計，進一步拓展HBM市場。

          創意電子計劃整合HBM4、UCIe-A與UCIe-3D IP，提供完整的2.5D/3D解決方案，滿足AI、HPC等高性能計算需求。隨著HBM4的量產，預計將推動下一代數據中心和AI芯片的性能飛躍。

          此次突破不僅展示了創意電子在先進IP設計上的實力，也凸顯了臺積電在先進制程和封裝技術上的領先優勢，為未來HBM4的商用化鋪平道路。