頂點光電子商城2025年4月1日消息：今日，意法半導體（ST Microelectronics）與英諾賽科（02577.HK）正式宣布簽署了一項氮化鎵（GaN）技術開發與制造協議，旨在推動氮化鎵功率技術的聯合開發，并增強全球供應鏈布局。
雙方將共同推進氮化鎵技術在消費電子、數據中心、汽車、工業電源系統等領域的應用。通過聯合開發下一代氮化鎵功率技術，提升產品競爭力，并加速該技術的市場滲透。
英諾賽科可借助意法半導體在中國以外的制造產能生產其氮化鎵晶圓。意法半導體則可利用英諾賽科在中國的制造產能生產其自有的氮化鎵晶圓。這種供應鏈互補策略旨在增強雙方的全球供應能力，提高市場響應速度。
氮化鎵功率器件因其高效、節能、輕量化等優勢，在快充、數據中心、電動汽車、光伏逆變器等領域需求旺盛。英諾賽科近期業績增長顯著，2024年AI及數據中心芯片交付量同比增長669.8%，車規級芯片交付量增長近10倍。該合作將進一步鞏固英諾賽科在全球氮化鎵市場的領導地位，并助力意法半導體拓展功率半導體業務。
英諾賽科股價在4月1日先跌后反彈，截至發稿時在42.4港元/股附近。該公司已于2025年3月10日被納入港股通，增強了其融資能力和市場關注度。
展望未來，雙方計劃在未來幾年深化合作，推動氮化鎵技術在AI算力、可再生能源、電動汽車等領域的應用。該合作有望加速氮化鎵技術的商業化進程，并提升全球供應鏈的韌性。此次合作標志著第三代半導體產業進入更緊密的國際協作階段，可能對全球功率電子市場格局產生深遠影響。
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