頂點光電子商城2025年3月24日消息：九峰山實驗室近期在第三代半導體材料領域取得重大突破，國際首創8英寸硅基氮極性氮化鎵（N-polar GaNOI）襯底技術，引發行業高度關注。這一成果不僅填補了技術空白，更有望推動5G/6G通信、衛星互聯網、雷達探測等前沿領域的技術革新。
實驗室攻克氮極性氮化鎵材料生長難題，在8英寸硅襯底上制備出高電子遷移率功能材料（N-polar GaNOI）。相較于傳統鎵極性氮化鎵，氮極性結構在高頻段（如毫米波）性能更優，可顯著提升器件的功率密度和效率。
該技術采用CMOS兼容工藝，可直接對接主流半導體產線，大幅降低了量產成本。鍵合界面良率超過99%，為大規模產業化掃清障礙。
基于自研氮化鎵器件，實驗室構建了20米級微波無線傳能系統，實現對無人機的動態供電。該技術突破傳統無線充電的距離與效率瓶頸，為物流、工業4.0等領域提供新解決方案。
此前僅有少數機構能小批量生產2-4英寸氮極性氮化鎵襯底，且成本高昂。九峰山實驗室的8英寸技術直接跨越尺寸限制，打破國際技術壟斷。實驗室已聯合華工科技等企業推進國產化設備驗證，加速技術落地。其PDK（工藝設計套件）平臺支持全球芯片設計企業接入，有望吸引國際供應鏈合作。
在化合物半導體領域，氮化鎵被視為“新質生產力”的關鍵材料。九峰山實驗室的突破與我國“十四五”規劃中半導體自主可控目標高度契合，為高端芯片國產化提供材料基礎。
九峰山實驗室的這項成果不僅是材料科學的里程碑，更是我國半導體產業從“跟跑”到“領跑”的縮影。隨著技術逐步產業化，有望重塑高頻通信、自動駕駛、能源傳輸等領域的競爭格局。未來，隨著8英寸及以上大尺寸氮化鎵材料的普及，一個由“中國創新”驅動的半導體新時代或將加速到來。
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