頂點光電子商城2025年3月19日消息:近日,SK海力士宣布全球首次向客戶交付12層堆疊的HBM4(高帶寬內存第四代)DRAM樣品,標志著高帶寬內存技術邁入新紀元。這一突破不僅體現其在3D封裝技術上的領先,更將深刻影響AI、高性能計算(HPC)及數據中心等領域的發展格局。
12層堆疊使單顆HBM4容量可達24GB(對比前代HBM3的8層16GB),結合HBM4標準支持的512GB/s帶寬(較HBM3提升50%),可支撐更復雜的數據密集型任務。通過改進TSV(硅通孔)工藝與散熱材料,12層堆疊的功耗效率提升約30%,解決高密度堆疊的散熱瓶頸。技術壁壘突破層間對齊誤差控制在1微米以內,確保信號傳輸穩定性。采用新型低介電常數(Low-k)絕緣層,降低層間干擾,提升電信號質量。

HBM4的高帶寬可支持萬億參數模型訓練中的數據并行需求,縮短迭代周期。與英偉達H100、AMD MI300等高端GPU結合,釋放全部算力潛能。
HBM4的“近內存計算”特性減少數據搬運延遲,提升整體系統能效比。支持Compute Express Link協議,實現CPU與內存池的解耦,靈活調配資源。
領先三星、美光等競品6-12個月,有望搶占AI服務器、自動駕駛等高端市場。與臺積電、AMD等合作優化HBM4與芯片設計的協同,形成“芯片-封裝-系統”閉環。國內長鑫存儲尚在HBM2階段,技術代際差距或倒逼國產替代加速。
預計2025年HBM4將占高端DRAM市場15%-20%份額,2026年滲透率或突破30%。SK海力士已啟動研發,目標容量達32GB,帶寬超600GB/s。探索“內存內計算”架構,進一步模糊存儲與運算邊界。
SK海力士的12層HBM4樣品不僅是技術里程碑,更是算力需求爆發的“催化劑”。隨著生成式AI、元宇宙等場景落地,HBM4將成為連接“數據爆炸”與“能源效率”的關鍵橋梁,推動半導體產業從“工藝微縮”向“異構集成”時代演進。對中國存儲產業而言,這一突破既是挑戰,也是加速自主研發的“發令槍”。
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