頂點(diǎn)光電子商城2025年3月19日消息：近日，SK海力士宣布全球首次向客戶交付12層堆疊的HBM4（高帶寬內(nèi)存第四代）DRAM樣品，標(biāo)志著高帶寬內(nèi)存技術(shù)邁入新紀(jì)元。這一突破不僅體現(xiàn)其在3D封裝技術(shù)上的領(lǐng)先，更將深刻影響AI、高性能計(jì)算（HPC）及數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的發(fā)展格局。
12層堆疊使單顆HBM4容量可達(dá)24GB（對比前代HBM3的8層16GB），結(jié)合HBM4標(biāo)準(zhǔn)支持的512GB/s帶寬（較HBM3提升50%），可支撐更復(fù)雜的數(shù)據(jù)密集型任務(wù)。通過改進(jìn)TSV（硅通孔）工藝與散熱材料，12層堆疊的功耗效率提升約30%，解決高密度堆疊的散熱瓶頸。技術(shù)壁壘突破層間對齊誤差控制在1微米以內(nèi)，確保信號傳輸穩(wěn)定性。采用新型低介電常數(shù)（Low-k）絕緣層，降低層間干擾，提升電信號質(zhì)量。
HBM4的高帶寬可支持萬億參數(shù)模型訓(xùn)練中的數(shù)據(jù)并行需求，縮短迭代周期。與英偉達(dá)H100、AMD MI300等高端GPU結(jié)合，釋放全部算力潛能。
HBM4的“近內(nèi)存計(jì)算”特性減少數(shù)據(jù)搬運(yùn)延遲，提升整體系統(tǒng)能效比。支持Compute Express Link協(xié)議，實(shí)現(xiàn)CPU與內(nèi)存池的解耦，靈活調(diào)配資源。
領(lǐng)先三星、美光等競品6-12個(gè)月，有望搶占AI服務(wù)器、自動(dòng)駕駛等高端市場。與臺(tái)積電、AMD等合作優(yōu)化HBM4與芯片設(shè)計(jì)的協(xié)同，形成“芯片-封裝-系統(tǒng)”閉環(huán)。國內(nèi)長鑫存儲(chǔ)尚在HBM2階段，技術(shù)代際差距或倒逼國產(chǎn)替代加速。
預(yù)計(jì)2025年HBM4將占高端DRAM市場15%-20%份額，2026年滲透率或突破30%。SK海力士已啟動(dòng)研發(fā)，目標(biāo)容量達(dá)32GB，帶寬超600GB/s。探索“內(nèi)存內(nèi)計(jì)算”架構(gòu)，進(jìn)一步模糊存儲(chǔ)與運(yùn)算邊界。
SK海力士的12層HBM4樣品不僅是技術(shù)里程碑，更是算力需求爆發(fā)的“催化劑”。隨著生成式AI、元宇宙等場景落地，HBM4將成為連接“數(shù)據(jù)爆炸”與“能源效率”的關(guān)鍵橋梁，推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從“工藝微縮”向“異構(gòu)集成”時(shí)代演進(jìn)。對中國存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)而言，這一突破既是挑戰(zhàn)，也是加速自主研發(fā)的“發(fā)令槍”。
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