頂點光電子商城2025年2月26日消息：近日，美光推出了采用極紫外（EUV）技術的1γ DDR5 DRAM芯片，并開始向部分生態系統合作伙伴和客戶出貨。
1γ節點是DRAM工藝技術的第六代，最小幾何尺寸在19nm~10nm之間。隨著DRAM制造商開始制造10nm級DRAM，他們放棄了納米測量，轉而采用如1x、1y、1z以及現在的1α、1β和1γ等命名方式。
1γ節點是美光首次采用EUV光刻技術的制程。EUV光刻技術利用極短波長在硅晶圓上刻畫出更精細的特征，有助于提高晶圓容量密度產出。該內存還包括下一代高K金屬柵極CMOS技術，提升了晶體管性能，實現了更高的速率、更優化的設計以及更小的特征尺寸，從而帶來功耗降低和性能擴展的雙重優勢。1γ 16Gbit DDR5 DRAM旨在提供高達9200MT/s的速度能力，與前代產品（采用1β技術實現的16Gbit DDR5）相比，速度提高15%，功耗降低20%以上。與上一代相比，1γ節點EUV技術使得晶圓容量密度產出提升30%，這提高了美光的經濟效益。
在應用場景方面，美光的1γ DRAM旨在滿足從云端、工業、消費應用到端側AI設備（如AI PC、智能手機和汽車）等未來計算平臺的創新發展需求。美光計劃在其整個DRAM系列中引入1γ，包括用于數據中心的DDR5、用于邊緣AI的低功耗DRAM、用于AI PC的DDR5 SODIMM以及用于移動產品和汽車的LPDDR5X。
美光目前主要在日本的晶圓廠生產1γ DRAM，并計劃在日本與臺灣晶圓廠增加更多EUV設備以提高產量。客戶AMD和英特爾已經開始驗證1γ DRAM在其服務器和消費處理器中的使用情況，預計該芯片將受到市場的廣泛歡迎。
總之，美光首家推出的采用EUV技術的1γ DDR5 DRAM芯片在性能、功耗和晶圓容量密度產出等方面均實現了顯著提升，并將廣泛應用于各種未來計算平臺。這一創新成果有望推動AI生態系統的發展并滿足行業日益增長的需求。
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