頂點光電子商城2025年2月25日消息：英特爾在加利福尼亞州圣何塞舉行的會議上宣布，首批兩臺ASML High-NA EUV（極紫外光刻）設備已在其晶圓廠投產。這兩臺設備的投產標志著英特爾在先進制程技術方面的重要進展，有助于其重返技術領先地位。High-NA EUV設備具有更高的分辨率和成像質量，能夠制造更小、更快的計算芯片，滿足市場對高性能芯片的需求。
與之前的EUV設備相比，High-NA EUV設備的可靠性大約是上一代的兩倍。這意味著英特爾能夠以更穩定的速度生產晶圓，提高生產效率。High-NA EUV設備使用光束將特征打印到芯片上，能夠以更少的曝光次數完成與早期設備相同的工作。這有助于節省時間和成本，提高整體制造效率。據報道，High-NA EUV設備的分辨率為8nm，可以實現比現有EUV光刻機小1.7倍物理特征的微縮，單次曝光的晶體管密度提高2.9倍。這將進一步推動芯片制造技術的進步。
在一個季度內，英特爾利用這兩臺High-NA EUV設備生產了3萬片晶圓。這些晶圓可以生產數千個計算芯片，滿足市場需求。英特爾計劃使用High-NA EUV設備來協助開發其所謂的18A制程技術。該技術預計將于今年稍晚時隨著新一代PC芯片的量產而推出。此外，英特爾還計劃在下一代的14A制程中全面導入High-NA EUV設備來進行生產。盡管尚未公布具體的量產時間，但這一計劃顯示了英特爾對High-NA EUV設備的信心和期待。
盡管High-NA EUV設備具有諸多優勢，但其高昂的成本也引發了爭議。據報道，每臺High-NA EUV設備的售價高達約3.5億美元（約合人民幣25.4億元），遠高于ASML標準EUV系列的售價。一些專家表示，英特爾搶用High-NA EUV設備可能會面臨虧損擴大的窘境。然而，英特爾首席執行官帕特·基辛格認為，在采用EUV設備后，英特爾在價格、性能方面都很有競爭力。
綜上所述，英特爾首批兩臺High-NA EUV設備的投產標志著其在先進制程技術方面的重要進展。盡管面臨高昂的成本挑戰，但英特爾對High-NA EUV設備的信心和期待仍然堅定。未來，隨著High-NA EUV設備在更多制程技術中的應用和推廣，英特爾有望在全球芯片制造市場中占據更加重要的地位。
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