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         頂點光電子商城2025年2月14日消息：近日，上海維安半導體有限公司近日取得一項名為“一種低鉗位內嵌降容二極管的新型可控硅器件”的專利，授權公告號為CN111092117B，授權公告日為2024年12月31日，申請日為2020年02月21日。

         該專利涉及半導體元器件設計技術領域，尤其涉及一種內嵌降容二極管的新型可控硅器件。該器件包括可控硅模塊和二極管模塊，兩者均形成于硅襯底的異質外延層上，并分別采用深槽DTI隔離。該專利產品的技術特點在于：解決了集成二極管的可控硅器件鉗位電壓高的問題，獲得了一種在同等面積和同等電容下，鉗位電壓更低的器件。可控硅模塊與二極管模塊的特定結構設計和摻雜方式，使得器件具有更低的鉗位電壓和電容特性。

        該專利產品可廣泛應用于需要低鉗位電壓和低電容特性的電子電路中，特別是在對器件性能和穩定性要求較高的領域，如電力電子、通信、計算機等領域。其優越的性能有望為相關領域的電子產品設計提供新的解決方案和選擇。

          綜上所述，維安半導體的“一種低鉗位內嵌降容二極管的新型可控硅器件”專利是一項具有創新性和實用價值的實用新型專利，其獲得授權標志著該公司在半導體元器件設計技術領域取得了新的突破。